硅晶圆共位贴合如有图所示是一种用于半导体芯片精密对准和键合到基板上的先进技术，该技术利用短波红外 (SWIR) 光实现高精度定位和高效键合。目前常见的芯片贴合工艺芯片对芯片 (CoC)：将芯片直接粘合到其他芯片上，可通过焊接、粘合剂或直接键合等方式实现；芯片对晶圆 (CoW)：将芯片粘合到晶圆上，类似于CoC，但晶圆比芯片大得多。CoW常用于创建堆叠芯片，可提升性能或功能；晶圆对晶圆 (WoW)：将晶圆直接粘合到其他晶圆上，是最复杂的工艺，用于创建三维集成电路 (3
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众所周知，提高 SiC 晶圆质量对制造商来说非常重要，因为它直接决定了 SiC 器件的性能，从而决定了生产成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圆的生长仍然非常具有挑战性。SiC 晶圆制造的发展已经完成了从100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圆的艰难过渡，正在向8英寸迈进。SiC 需要在高温环境下生长，同时具有高刚性和化学稳定性，这导致生长的 SiC 晶片中晶体和表面缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷
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至少出于性能原因，器件晶圆背面的空间看起来很有发展潜力。把电源轨从前端移到背面可以缓解晶圆正面的拥塞，实现单元微缩并减少电压降。领先的半导体逻辑企业深知背面供电的优势，正积极开发背面分布网络。
作者：泛林集团 Semiverse™ Solutions 半导体和工艺整合工程师 Sandy Wen
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在我从事半导体设备的职业生涯之初，晶圆背面是个麻烦问题。当时发生了一件令我记忆深刻的事：在晶圆传送的过程中，几片晶圆从机器人刀片上飞了出来。收拾完残局后，我们想到，可以在晶圆背面沉积各种薄膜，从而降低其摩擦系数。放慢晶圆传送速度帮助我们解决了这个问题，但我们的客户经理不太高兴，因为他们不得不向客户解释由此导致的产量减少的原因。尽管初识晶圆背面的过程不太顺利，但当2010年代早期Xilinx Virtex-7系列FPGA发布时，我开始更加关注这个领域。Xilinx的产品是首批采用“堆叠硅互连技术”的异构集成
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朱平安 项永金 张秀凤格力电器（合肥）有限公司，（安徽 合肥 230088） 摘 要：结合应用中引线式轴向塑封二极管出现漏电及击穿失效问题，对引线式轴向塑封二极管失效原因及封装结构进行深入剖析，经过对大量失效引线式轴向塑封二极管深入分析确定失效主要原因为引线式轴向塑封二极管为单钉头引线、大晶圆结构，本身抗机械应力能力差，引线、二极管本体在加工的过程中受机械应力的作用，二极管晶圆直接受到外力冲击产生裂纹，呈现正向压降不良及反向耐压衰降，在后续的通电过程中失效进一步加深，最终击穿失效。经过从各方面进行论
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随着半导体行业塌缩到更小的节点和/或采用 3D
NAND等复杂的体系结构，以继续追赶或取代摩尔定律，业界关注的焦点往往是制程优化和化学配方改良。业界似乎很少考虑辅助技术，而此类技术对于满足当今细微特征和复杂结构的需求而言同样重要。在半导体制造制程中，以前化学品的交付并未被视为关键领域之一，但现在正变得越来越重要。 以加仑玻璃瓶为例，它用于包装、存储、运输和交付洁净的制程用化学品，如光刻胶、蚀刻剂、前驱体、电介质等。多年来，这些容器对于当时的任务而言是适合的而且经济上很划算。然而，
随着今天的
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图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工，这些图形根据集成电路中物理“部件”的要求来确定其尺寸和位置。 图形化工艺还包括光刻、光掩模、掩模、去除氧化膜、去除金属膜和微光刻。图形化工艺是半导体工艺过程中最重要的工序之一，它是用在不同的器件和电路表面上建立图形的工艺过程。这个工艺过程的目标有两个： 1. 在晶圆中和表面上产生图形，这些图形的尺寸在集成电路或器件设计阶段建立。 2. 将电路图形相对于晶圆的晶向及以所有层的部分对准的方式，正确地定位于晶圆上。 除了两个结果外，有许多工艺变化。
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晶圆生产的目标 芯片的制造分为原料制作、单晶生长和晶圆的制造、集成电路晶圆的生产和集成电路的封装阶段。本节主要讲解集成电路封装阶段的部分。 集成电路晶圆生产是在晶圆表面上和表面内制造出半导体器件的一系列生产过程。整个制造过程从硅单晶抛光片开始，到晶圆上包含了数以百计的集成电路戏芯片。 下面，为了更好的理解芯片的结构，小编将为大家介绍一些基本的晶圆术语。 晶圆术语 1. 芯片、器件、电路、微芯片或条码：所有这些名词指的是在晶圆表面占大部分面积的微芯片图形。 2. 划片线或街区：这些区域是在晶
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有了之前的介绍，相信大家对晶圆在半导体产业中的作用有了一个清晰的认识。那么，自然而然地，一个疑问就冒出来了：晶圆是如何生长的?又是如何制备的呢?本节小编将为大家一一道来。 本节的主要内容有：沙子转变为半导体级硅的制备，再将其转变成晶体和晶圆，以及生产抛光晶圆要求的工艺步骤。这其中包括了用于制造操作晶圆的不同类型的描述。生长450mm直径的晶体和450mm晶圆的制备存在的挑战性。 更高密度和更大尺寸芯片的发展需要更大直径的晶圆供应。在20世纪60年代开始使用的1英寸直径的晶圆。在21世纪前期业界转向
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芯片，指的是内含集成电路的硅片，所以芯片又被称集成电路，可能只有2.5厘米见方大小，但是却包含几千万个晶体管，而较简单的处理器可能在几毫米见方的芯片上刻有几千个晶体管。芯片是电子设备中最重要的部分，承担着运算和存储的功能。 高大上的芯片设计流程 一颗芯片的诞生，可以分为设计与制造两个环节。芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出想要的IC 芯片，然而，没有设计图，拥有再强大的制造能力也无济于事。 在 IC 生产流程中，IC 多由专业 IC 设
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CPU是现代计算机的核心部件，又称为“微处理器”。对于PC而言，CPU的规格与频率常常被用来作为衡量一台电脑性能强弱重要指标。Intelx86架构已经经历了二十多个年头，而x86架构的CPU对我们大多数人的工作、生活影响颇为深远。
许多对电脑知识略知一二的朋友大多会知道CPU里面最重要的东西就是晶体管了，提高CPU的速度，最重要的一点说白了就是如何在相同的CPU面积里面放进去更加多的晶体管，由于CPU实在太小，太精密，里面组成了数目相当多的晶体管，所以人手是绝对不可能
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长期可靠性的问题，比如电子迁移(EM)失效机制，历来属于晶圆厂的处理范畴。但随着纳米设计中可靠性实现的愈加困难，对设计人员而言，不能再把问题扔给制造甩手不管了。设计领域也必须做出努力以获得更具有鲁棒性的版图。 电流密度过高导致金属原子逐渐置换，这时就会产生电子迁移问题。当很长时间内在同一个方向有过多电流流过时，在互连线上会开始形成空洞(Void，原子耗尽时出现)和小丘(hillock，原子积聚时产生)。足够多的原子被置换后，会产生断路或短路。当小丘触及邻近的互连线时，短路出现，从而引起芯片失效。
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LED芯片技术及国内外差异分析-芯片，是LED的核心部件。目前国内外有很多LED芯片厂家，然芯片分类没有统一的标准，若按功率分类，则有大功率和中小功率之分;若按颜色分类，则主要为红色、绿色、蓝色三种;若按形状分类，一般分为方片、圆片两种;若按电压分类，则分为低压直流芯片和高压直流芯片。
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电脑芯片材料与制作工艺-说到硅技术，免不了要提高硅晶体。根据硅晶体定义，硅是一种比较活泼的非金属元素，能与大多数元素形成化合物，它的用途主要取决于它的半导体特性。而硅晶体又分为单晶硅、多晶硅，什么是多晶硅?熔融的单质硅经过过冷凝固以金刚石晶格形态形成的晶体。而我们制造电脑CPU芯片的硅，选取的是单晶硅。现今热门的新材料石墨烯，就是一种最薄最坚硬纳米材料的单晶硅体。下面我们就来讲讲，电脑芯片CPU制造材料单晶硅是怎么来的。
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一片晶圆到底可以切割出多少晶片？（附30强晶圆代工厂）-一片晶圆到底可以切割出多少的晶片数目？这个要根据你的die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个吋是估算值。
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晶圆介绍
晶圆 晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。晶圆制造厂再将此多晶硅融解，再于融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅 [
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