- 在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前,1822年法国人Nicephore
niepce在各种材料光照实验以后,开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕(图案),他将油纸放在一块玻璃片上,玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒,透光部分的沥青明显变硬,而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板,Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。
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芯片,光刻
- 如今对于一些技术节点,设计人员需要在晶圆代工厂流片和验收之前进行光刻友好设计(Litho Friendly Design) 检查。由于先进节点的解析度增进技术(RET) 限制,即使在符合设计规则检查 (DRC) 的设计中,我们仍看到了更多的制造问题。
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模型 光刻 DRC MBH
- 美国科学家通过纳米模版光刻技术(nanostencillithography)在可弯曲式基板上制作出大范围的纳米图案。这个...
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光电 纳米 光刻
- 对于极紫外(EUV)光刻技术而言,掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟,而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力。在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上,针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战,Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召开了一次内部讨论,并在会上向与会的同仁报告了在这一领域Intel和Dai Nippon Printin
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光刻 EUV 掩膜 CMOS
光刻介绍
光刻 利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术,在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知,但长期以来由于缺乏优良的光致抗蚀剂而未得到应用。直到20世纪50年代,美国制成高分辨率和优异抗蚀性能的柯达光致抗蚀剂(KPR)之后,光刻技术才迅速发展起来,并开始用在半导体工业方面。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一,并已用于刻划光栅、 [
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