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英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET,以更高的功率密度和效率树立行业新标准

  • 英飞凌科技股份公司近日推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外,凭借宽安全工作区(SOA)和业界领先的RDS(on),该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200
  • 关键字: 英飞凌  OptiMOS  MOSFET  

英飞凌推出OptiMOS™ 6200V MOSFET

  • 英飞凌科技股份公司近日出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列,使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善,降低了电磁干扰(EMI)和开关损耗,有益于用于服务器、电信、储能系统(ESS)、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外,凭借宽安全工作区(SOA)和业界领先的RDS(on),该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少?

  • 在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。之前我们讨论过功率MOSFET的雪崩效应,今天,我们将继续分享相关UIS (UIL)数据表的额定值。除了Ipk vs tav图之外,大多数功率MOSFET数据表还包含一个UIS能量额定值,通常列在最大值表中。这有点误导,因为很明显 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
  • 关键字: 安森美  MOSFET  UIS  

Vishay的新款80V对称双通道MOSFET的RDS(ON)达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能

  • 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT,将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换,在提高功率密度和能效的同时,增强热性能,减少元器件数量并简化设计。日前发布的双通道MOSFET可用来取代两个PowerPAK 1
  • 关键字: Vishay  MOSFET  对称双通道  

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

  • 英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件,CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,电气间隙为5
  • 关键字: 英飞凌  CoolSiC  MOSFET  

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统

  • 英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势,通过降低能量损耗来提高功率转换过程
  • 关键字: 英飞凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  

​MOSFET共源放大器的频率响应

  • 在本文中,我们通过研究MOSFET共源放大器的s域传递函数来了解其频率响应。之前,我们了解了MOSFET共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用,但仅适用于低频操作。为了了解共用源(CS)放大器在较高频率下的功能,我们需要更详细地研究其频率响应。在本文中,我们将在考虑MOSFET寄生电容的情况下导出CS放大器的全传递函数。然而,在我们这么做之前,让我们花点时间回顾频域中更为普遍的传递函数(TF)分析。s域传输函数TF是表示如何由线性系统操纵输入信号(x)以产生输出信号(y)的方程式。其形式为:&n
  • 关键字: MOSFET  共源放大器  

轻松了解功率MOSFET的雪崩效应

  • 在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。根据电路条件不同,在雪崩、MOSFET漏极或源极中,电流范围可从微安到数百安。  额定击穿电压,也可称之为“BV”,通常是在给定温度范围(通常是整个工作结温范围)内定义的MOSFET器件的最小阻断电压(例如30V)。数据表中的BVdss值是在低雪崩电流(通常为
  • 关键字: MOSFET  雪崩  电流  

Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列

  • 奈梅亨,2024年2月29日:Nexperia再次在APEC上展示产品创新,今天宣布发布几款新型MOSFET,以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围,可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET),采用DFN2020封装,体积缩小60%,以及改进了电磁兼容性(EMC)的40  V NextPowerS3 MOSFETPoE交换机通常有多达48个端口,每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96
  • 关键字: Nexperia  APEC 2024  拓宽分立式FET  MOSFET  

MOSFET共源放大器介绍

  • 在本文中,我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见,放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中,我们将讨论共用源极(CS)放大器,它使用栅极作为其输入端子,使用漏极作为其输出。在交流信号方面,源端子对于输入和输出都是公共的,因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
  • 关键字: MOSFET  共源放大器  

​MOSFET共源放大器介绍

  • 在本文中,我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见,放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件,这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中,我们将讨论共用源极(CS)放大器,它使用栅极作为其输入端子,使用漏极作为其输出。在交流信号方面,源端子对于输入和输出都是公共的,因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
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内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC,助推工厂智能化

  • 本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度,在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力,需要辅助设备用的高效率电源,而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今,从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂,既需要进一步提升生产效率和产品品质,还需要推进无碳生产(降低功耗和减少温室气体排放)。在以往的制造业中,提高工厂的生产效率和
  • 关键字: 电力转换  SiC  MOSFET  

2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET

  • CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术,CoolSiC™技术的输出电流能力强,可靠性提高。产品型号:▪️ IMYH200R012M1H▪️ IMYH200R024M1H▪️ IMYH200R050M1H▪️ IMYH200R075M1H▪️ IMYH200R0100M1H产品特点■ VDSS=2000V,可用于最高母线电压为1500VDC系统■ 开关损
  • 关键字: MOSFET  CoolSiC  Infineon  

谈谈SiC MOSFET的短路能力

  • 在电力电子的很多应用,如电机驱动,有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力,即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力,大部分在5~10us之间,例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us,IGBT7短路时间是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 没 有 标 出 短 路 能 力 , 即 使 有 , 也 比 较 短 , 例 如 英 飞 凌 的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us,EASY封装器件标
  • 关键字: infineon  MOSFET  

用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型

  • MOSFET的小信号特性在模拟IC设计中起着重要作用。在本文中,我们将学习如何对MOSFET的小信号行为进行建模。正如我们在上一篇文章中所解释的那样,MOSFET对于现代模拟IC设计至关重要。然而,那篇文章主要关注MOSFET的大信号行为。模拟IC通常使用MOSFET进行小信号放大和滤波。为了充分理解和分析MOS电路,我们需要定义MOSFET的小信号行为。什么是小信号分析?当我们说“小信号”时,我们的确切意思是?为了定义这一点,让我们参考图1,它显示了逆变器的输出传递特性。逆变器的传输特性。 图
  • 关键字: MOSFET  模拟IC  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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