2023年9月27日,在“2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会”期间,举办了一场关于双碳、可持续发展的研讨会——“集成电路下的绿水青山”。国家电网能源研究院原副院长、首席能源专家胡兆光教授分享了我国能源行业的发展现状与未来方向。
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202403 双碳 IC WORLD
从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
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3D DRAM 存储
AbstractTXB0104是应用在AM3352(Sitara MCU/MPU等)和EMMC
(嵌入式多媒体存储卡)芯片之间通信的双向自动检测电平转换芯片。当系统的软件资源配置不足,需要电平转换芯片自己识别信号传输方向的时候,需要注意外部硬件设计,不然可能会出现挂载时好时坏的失效情况。问题背景:EMMC与AM3352挂载失败,定位为TXB0104工作异常。实测中发现如图中线路所示:1.只有D0通道无信号,因为将D0数据线由主芯片(AM3352)侧飞线到EMMC,D0开始传输数据信号,eMMC挂载正常
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自动检测 IC TXB0104 电平 转换端口
美国新罕布什尔州曼彻斯特 - 运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems(纳斯达克股票代码:ALGM)(以下简称Allegro)宣布推出高压电源产品组合中的第二款产品。Allegro 的 AHV85111 隔离栅极驱动器 IC 增加了重要的安全功能,同时简化了电动汽车和清洁能源应用(包括 OBC/DC-DC、太阳能逆变器和数据中心电源)中大功率能源转换系统的设计。Allegro 副总裁兼
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Allegro Power-Thru IC 隔离栅极驱动器
开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
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3D NAND
2023年11月16日消息,随着汽车的互联性不断提高、技术日益先进,对加强安全措施的需求也随之增加。各国政府和汽车OEM最新的网络安全规范开始包含更大的密钥尺寸和爱德华曲线ed25519算法标准(Edwards Curve ed25519)。为此,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)近日推出最新的信任锚点安全IC(Trust Anchor Security IC) TA101,可满足复杂的汽车和嵌入式安全用例。TA101 支持高达 ECC P521、SHA512、R
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Microchip TrustAnchor IC 汽车安全认证
Microchip Technology Inc.安全及计算产品部市场经理Xavier Bignalet如果您对单个配件的身份验证、规范化电子配件生态系统的构建或一次性用品的假冒伪劣处理感兴趣,欢迎阅读本篇博文。我们将介绍最新推出的高性价比安全身份验证IC。看看它们提供了哪些安全特性来帮助您实现反威胁模型。面向一次性用品和配件生态系统的成本优化型安全身份验证 IC不知您是否有注意到,其实我们每天都在经历着各种安全身份验证过程。例如,当您发送电子邮件、将手机插入充电器或打印文档时,后台都有在进行身份验证。本
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Microchip MCU IC
● HAL 3930-4100(单芯片)和 HAR 3930-4100(双芯片)是两款精确的霍尔效应位置传感器,具备稳健的杂散场补偿能力,并配备 PWM 或 SENT 输出接口● 单芯片传感器已定义为 ASIL C 级,可以集成到汽车安全相关系统中,最高可达 ASIL D 级● 目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
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TDK ASIL C 3D HAL传感器
恩智浦新一代电池管理系统IC的电芯测量精度低至0.8 mV,并且其全生命周期为考量的设计稳健性,可增强电池管理系统的性能,充分挖掘电动汽车锂离子电池和储能系统的可用容量并提高安全性。恩智浦半导体推出了下一代电池控制器IC,旨在优化电池管理系统(BMS)的性能和安全性。恩智浦的MC33774 18通道模拟前端器件可在宽温度范围内提供低至0.8 mV的电芯测量精度和出色的电芯均衡力,支持功能安全等级ASIL-D,适合用于与安全密切相关的高压锂离子电池中,以充分挖掘可用容量。锂离子电池因单位体积和重量的能量密度
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电池管理系统 IC 电芯测量精度 BMS MC33774
● 全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。● 卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平,以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布,其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员,现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
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TDK 3D HAL 位置传感器
3D ToF智能相机能藉助飞时测距(Time of Flight;ToF)技术,在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料,确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅,加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发,隔离政策改变人们的消费模式与型态,导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长;于此同时,人员移动的管制,也间接造成人力不足产生缺工问题,加速物流仓储行业自动化的进程,进而大量导入无人搬运车AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
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3D ToF 相机 物流仓储 自动化 台达
近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
2023 年第三季度,电子产品销售额预计将实现 10% 的季度环比增长。
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IC 集成电路
3d-ic介绍
3D IC产业链依制程可概略区分成3大技术主轴,分别是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵盖芯片前段CMOS制程、晶圆穿孔、绝缘层(Isolation)、铜或钨电镀(Plating),由晶圆厂负责。为了日后芯片堆叠需求,TSV芯片必须经过晶圆研磨薄化(Wafer Thinning)、布线(RDL)、晶圆凸块等制程,称之为中段,可由晶圆厂或封测 [
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