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高k介电常数 文章 进入高k介电常数技术社区

应用材料公司推出整合的高K介电常数

  • 晶体管制造技术正迎来巨大的变化,栅极结构上新材料和新工艺的整合运用使芯片速度更快,功耗更低,从而使摩尔定律得以延续。近日,应用材料公司推出了一系列已被全面验证的生产工艺,帮助我们的客户在大规模生产中制造高K介电常数/金属栅极(HK/MG)结构。 从45纳米的逻辑芯片开始,由于晶体管的尺寸太小,传统的栅极材料无法使用,过多的漏电流使晶体管发热并消耗额外的能量。HK/MG结构可以降低栅极漏电流100多倍,并大大加快晶体管的开关速度。举个例子来说,如果2006年付运的所有微处理器都采用了HK/MG技术,那么一年
  • 关键字: 消费电子  应用材料  高K介电常数  元件  制造  
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高k介电常数介绍

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