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非晶态半导体 文章 进入非晶态半导体技术社区

非晶态半导体的阈值开关机理

  •   非晶态半导体阈值开关器件是指往复开关多次不会破坏的器件。这种器件的I-V曲线如图1所示,当电压超过阈值Vei时,器件进行开关(Switch)。但在“关态”(OFF state)与“开态”(ON state)之间无稳定的操作点,电流降至维持电流In以下,器件即转到原始状态。     一般观察的结果表明,非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因,多半是由于电极与半导体合金化,引起了大量的电子迁移,导致非晶态半导体分相或部分分相。所以多数器件失效的原因
  • 关键字: 非晶态半导体  电子开关  
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非晶态半导体介绍

  具有半导体性质的非晶态材料。非晶态半导体是半导体的一个重要部分。50年代B.T.科洛米耶茨等人开始了对硫系玻璃的研究,当时很少有人注意,直到1968年S.R.奥弗申斯基关于用硫系薄膜制作开关器件的专利发表以后,才引起人们对非晶态半导体的兴趣。1975年W.E.斯皮尔等人在硅烷辉光放电分解制备的非晶硅中实现了掺杂效应,使控制电导和制造PN结成为可能,从而为非晶硅材料的应用开辟了广阔的前景。在理论 [ 查看详细 ]

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