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非易失铁电存储器 文章 进入非易失铁电存储器技术社区

基于FPGA的F-RAM防掉电设计

  • 摘要 在复杂实验条件下，需采用非易失性铁电存储器记录重要数据。为防止二次上电时实验数据被覆盖，需设计防掉电功能。文中介绍了一种F-RAM的防棹电设计思路，并基于现场可编程门阵列实现，板级验证工作正常，并已
  • 关键字： 非易失铁电存储器  防掉电  现场可编程门阵列  
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非易失铁电存储器介绍

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