- 阻变存储器RAM(RRAM)是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器，相比现在的闪存，它的速度快上许多，读写时还非常节能。今天，加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术，可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据，这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高，同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍，读写时的功率仅为1/20。
取决于不同的设备，RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年，使用寿命也10倍于NAND，可以说是一种完美的高速存储器。C
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阻变存储器 RRAM
阻变存储器介绍
阻变式存储器(resistive random access memory,RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器.它具有在32nm节点及以下取代现有主流Flash存储器的潜力,成为目前新型存储器的一个重要研究方向。 图1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)结构示意图,其上下电极之间是能够发生电阻转变的阻变层材料。在 [
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