- 逆导型横向绝缘栅双极晶体管（RC-LIGBT）由于高电流密度、小封装成本等优点，成为了功率器件领域内主流器件之一，然而其会受到电压折回现象的不利影响。本文提出了一种基于绝缘体上硅技术的RCLIGBT器件，将续流二极管集成在位于埋氧层下的衬底，利用埋氧层的隔离特性实现了IGBT与续流二极管之间的电学隔离，进而实现了完全消除电压折回现象。
- 关键字：
逆导型横向绝缘栅双极晶体管 电压折回现象 绝缘体上硅 导通压降 关断损耗 202009
逆导型横向绝缘栅双极晶体管介绍
您好，目前还没有人创建词条逆导型横向绝缘栅双极晶体管!
欢迎您创建该词条，阐述对逆导型横向绝缘栅双极晶体管的理解，并与今后在此搜索逆导型横向绝缘栅双极晶体管的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
