- 王定良（电子科技大学 电子科学与工程学院，四川 成都 610054） 摘 要：作为电机驱动电路的智能功率模块（IPM）正变得越来越重要，但是越来越快的开关速度，可能会引起IPM模块中的IGBT的误触发。另外，过高的dV/dt也会在IGBT关断状态下产生雪崩击穿。本文结合半桥电路的寄生参数模型，完善传统公式的推导。基于对公式与IGBT擎住现象的分析，并结合IGBT的安全工作区提出了一种根据dv/dt的大小来动态扩展IGBT安全工作区的电路结构，改善了传统半桥电路工作时的可靠性。 关键词：IGBT；
- 关键字：
202002 IGBT 误触发 dV/dt 可靠性
误触发介绍
您好，目前还没有人创建词条误触发!
欢迎您创建该词条，阐述对误触发的理解，并与今后在此搜索误触发的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
