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联华 文章 进入联华技术社区

东芝与联华制造的Xilinx 65纳米Virtex-5 FPGA元件

  •   Chipworks 公司宣布,已分析Xilinx公司采用65纳米制程的XC5VLX50Virtex-5 FPGA两个元件样本。其中一款元件由数位消费市场65纳米技术的领导厂商日本东芝公司制造;而另一款元件则由另一业界先锋台湾联华电子制造,亦是Xilinx过去10多年来的主要晶圆代工伙伴。Chipworks现已开始接受客户订购有关结构分析报告, Xilinx/UMC (SAR-0612-801) 及 Xilinx/Toshiba (S
  • 关键字: Xilinx  单片机  东芝  联华  嵌入式系统  

新思、瑞昱、联电携手打造第一个超高画质智能电视单芯片SoC

  • 全球芯片设计及电子系统软件暨IP领导厂商新思科技(Synopsys)、全球顶尖网络与多媒体芯片大厂瑞昱半导体以及世界一流的晶圆专工厂联华电子,日前宣布共同达成瑞昱RTD2995 UHD智能电视控制器SoC芯片一次完成硅晶设计(first-pass silicon success)的目标
  • 关键字: 新思  瑞昱  联华  SoC  

联华电子与ARM扩展28纳米硅智财合作

  • 联华电子与ARM日前共同宣布,协议将在联华电子28纳米高效能低功耗(HLP)制程上,提供ARM Artisan物理IP平台与POP IP。
  • 关键字: 联华  ARM  28HLP  

联华电子55纳米SDDI客户芯片已出货逾1500万颗

  • 联华电子日前宣布,采用联华电子55纳米嵌入式高压(eHV)制程生产的小尺寸显示器驱动客户芯片(SDDI),现已出货超过1500万颗。客户采用此制程于高分辨率的高阶智能手机,此55纳米eHV制程在联华电子台湾与新加坡的12吋晶圆厂内,现已达到极佳的良率表现。
  • 关键字: 联华  嵌入式  晶圆  SDDI  

联华电子与中国高拓讯达成功展示DVB-T2/T/C/S2/S解调器

  • 联华电子与数字电视解调器芯片设计公司高拓讯达(AltoBeam)日前共同宣布,高拓讯达推出了DVB-T2/T/C/S2/S解调器,以因应采用这些标准的数字电视市场需求。ATBM7812采用联华电子12吋URAM嵌入式内存技术专利,具备了更高的效能与更小的芯片尺寸。
  • 关键字: 联华  嵌入式  URAM  

联华电子与SuVolta 宣布联合开发28纳米低功耗工艺技术

  • 联华电子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 与SuVolta公司,日前宣布联合开发28纳米工艺。该项工艺将SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC)晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移动(HPM)工艺。SuVolta与联华电子正密切合作利用DDC晶体管技术的优势来降低泄漏功耗,并提高SRAM的低电压效能。
  • 关键字: 联华  28纳米  DDC  晶体管  

联华与新思携手 加速联华电子14奈米FinFET制程研发

  • 联华电子与全球半导体设计制造提供软件、IP与服务的领导厂商新思科技(Synopsys),日前(26日)共同宣布,两家公司的合作已获得成果。采用新思科技DesignWare®逻辑库的IP组合及 Galaxy™实作平台的一部分-寄生StarRC™萃取方案,成功完成了联华电子第一个14奈米FinFET制程验证工具的设计定案。
  • 关键字: 联华  新思  FinFET  

联华电子加入IBM芯片联盟 共同开发10奈米制程技术

  • 联华电子与IBM日前(13日)共同宣布,联华电子将加入IBM技术开发联盟,共同开发10奈米CMOS制程技术。
  • 关键字: 联华  IBM  FinFET  

力旺电子与联华电子扩大技术合作

  • 全方位之嵌入式非挥发性内存硅智财供货商力旺电子与世界一流的晶圆专工公司联华电子日前共同宣布,双方扩大技术合作,将力旺电子独特开发之OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory ,单次可程序嵌入式非挥发性内存) 及MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory.
  • 关键字: 力旺  联华  嵌入式  eNVM  

联华和Kilopass携手 进行先进制程28奈米硅智财合作

  • 联华电子与半导体逻辑非挥发性内存(NVM)硅智财领导厂商Kilopass日前共同宣布,双方已签署技术开发协议,Kilopass非挥发性内存硅智财将于联华电子两个28奈米先进制程平台上使用,分别为:适用于生产可携式装置产品系统单芯片的高介电质金属闸(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消费性电子产品系统单芯片设计公司青睐的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。
  • 关键字: 联华  Kilopass  28奈米  硅智财  

联华电子与美商Spansion合作技术研发与授权协议

  • 联华电子与闪存解决方案领导厂商Spansion日前共同宣布,将展开40纳米工艺研发合作,整合联华电子40纳米LP逻辑工艺,以及Spansion eCTTM (embedded Charge Trap, eCT)嵌入式电荷撷取闪存技术。此份非专属授权协议包含了授权联华电子采用此技术为Spansion制造产品。
  • 关键字: 联华  嵌入式  内存  Spansion  

联华推出80奈米SDDI晶圆专工工艺

  • 联华电子日前(21日)宣布,推出新一代80奈米小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)工艺,此工艺特色在于具备了晶圆专工业界最富竞争力的SRAM储存单元。
  • 关键字: 联华  晶圆  SDDI  

联华电子连续第五年列名道琼永续性指数成分股

  • 联华电子日前(14日)宣布,连续第五年同时列名于道琼永续性指数(Dow Jones Sustainability Indexes, DJSI)之「世界指数(DJSI-World)」及「亚太指数(DJSI-Asia Pacific)」为成份股之一。2012年道琼永续性世界指数由全球大型企业中挑选约2500家企业参加评比,评选出340家企业为成分股,全球半导体业仅有5家列名,亚太指数中半导体业则仅有4家列名。
  • 关键字: 联华  半导体  

联电与星国微电子开发TSV技术

  •   联华电子与新加坡科技研究局旗下的微电子研究院今天宣布,将合作进行应用在背面照度式CMOS影像感测器的TSV技术开发,透过这项技术,包括智慧手机、数位相机与个人平板电脑等行动电子产品,里面所采用的数百万像素影像感测器,都可大幅提升产品效能、降低成本、体积减少。   联电指出,市场上对于持续缩小像素,又能兼顾效能的需求,日益增强,带动CMOS影像感测技术兴起,而背面照度式技术则普遍被视为能够让微缩到微米级大小的像素,仍保有优异效能的解决方案。   联电指出,这次专案目标,希望提影像感测器灵敏度,支援更
  • 关键字: 联华  CMOS  微电子  

联华电子计划收购大陆和舰科技

  •   据华尔街日报报道,联华电子将在4月初召开的董事会上修改该公司将其在中国大陆和舰科技持股比例由15%提高至100%计划的条款。   该报称,依据修改后的计划条款,联华电子将以现金加库存股的方式收购和舰科技的上述股权;而依据去年通过的方案,联华电子原计划发行不超过11亿股新股来实施该股权收购计划。   据悉,和舰科技坐落于苏州工业园区,占地1.3平方公里,是一家具有外资参股,制造尖端集成电路的一流晶圆专工企业。公司拥有尖端的集成电路工艺技术和杰出的经营团队,为客户提供全面性及具有竞争力的服务。
  • 关键字: 联华  晶圆  
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