- 摘 要：为了分析功率MOSFET关断特性，本文基于结电容的概念探讨了功率MOSFET关断过程的机理并推导
了数学模型，表明了MOSFET关断过程存在“栅控”和“容控”两种控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模
型，仿真结果对数学模型进行了验证；设计了双脉冲实验，实验结果与模型和仿真结果一致。研究结论有助于
器件设计优化和应用改善。关键词：关断特性；结电容；Spice模型；双脉冲1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect
tran
- 关键字：
202210 关断特性 结电容 Spice模型 双脉冲
- 随着人们对电源及电子设备的功能要求越来越高，为各种设备提供电源时需要进行的改动就越来越多。IGBT就是其中一种，然而在实际的设计过程中，很多朋友
- 关键字：
IGBT 结电容 电源
结电容介绍
您好，目前还没有人创建词条结电容!
欢迎您创建该词条，阐述对结电容的理解，并与今后在此搜索结电容的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
