本文总结了功率因素校正电路加旁路二极管作用的几种不同解释：减少主二极管的浪涌电流；提高系统抗雷击的能力；减少开机瞬间系统的峰值电流，防止电感饱和损坏功率MOSFET。具体分析了输入交流掉电系统重起动，导致功率MOSFET驱动电压降低、其进入线性区而发生损坏，才是增加旁路二极管最重要、最根本的原因。给出了在这种模式下，功率MOSFET发生损坏的波形和失效形态，同时给出了避免发生这种损坏的几个措施。
关键字：
功率因素校正 旁路二极管 线性区 欠压保护 202103 MOSFET
Selection of power MOSFET in drone battery power management 李全，刘松，张龙 （万国半导体元件(深圳)有限公司，上海 静安 200070） 摘要：本文探讨了无人机电池充放电管理系统的功率MOSFET在大电流关断过程中发生失效损坏的原因，分别从功率MOSFET在大电流线性区工作时内部电场分布、空穴电流分布的电流线分布说明其线性区工作特点和热累积效应，提出了提高功率MOSFET线性区可靠性的方法。最后通过测试验证了方法的可行性和有效性。
关键字：
201905 线性区 空穴电流 局部热点 负温度系数区
本文论述了功率MOSFET数据表中安全工作区每条曲线的含义，详细说明最大的脉冲漏极电流的定义。分析了基于环境温度、最大允许结温和功耗计算的安全工作区不能作为实际应用中MOSFET是否安全的标准原因。特别说明了功率MOSFET完全工作在线性区或较长的时间工作在线性区的应用中，必须采用实测的安全工作区理由。
关键字：
功率MOSFET 安全工作区 线性区 热电效应 201903
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