IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第一部分，将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
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杂散电感 SiC IGBT 开关特性
IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop inductance）对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响，本文为第二部分，将主要讨论栅极环路电感影响分析。（点击查看直流链路环路电感分析）测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ，DPT)
采用不同的设置来分析S
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IGBT SiC 开关特性
在之前一篇题为《功率电子器件从硅（Si）到碳化硅（SiC）的过渡》的博文中，我们探讨了碳化硅（SiC）如何成为功率电子市场一项“颠覆行业生态”的技术。如图1所示，与硅（Si）材料相比，SiC具有诸多技术优势，因此我们不难理解为何它已成为电动汽车（EV）、数据中心和太阳能/可再生能源等许多应用领域中备受青睐的首选技术。图1.硅与碳化硅的对比众多终端产品制造商纷纷选择采用SiC技术替代硅基工艺，来开发基于双极结型晶体管（BJT）、结栅场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘
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Qorvo SiC MOSFET
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。M3S 系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化，如太阳能逆变器、ESS、UPS 和电动汽车充电桩等。帮助开发者提高开关频率和系统效率。本应用笔记将描述M3S的一些关键特性，与第一代相比的显著性能提升，以及一些实用设计技巧。本文为第一部分，将重点介绍M3S的一些关键特性以及与
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碳化硅 SiC MOSFET
近日，包括Wolfspeed、韩国釜山政府、科友等在第三代半导体SiC/GaN上出现新进展。从国内外第三代化合物进展看，目前在碳化硅领域，国际方面8英寸SiC晶圆制造已迈向量产前夕，国产厂商方面则有更多厂家具备量产能力，产业链条进一步完善成熟，下文将进一步说明最新情况。SiC/GaN 3个项目最新动态公布Wolfspeed德国8英寸SiC工厂或将延迟至明年建设近日，据外媒消息，Wolfspeed与采埃孚联合投资建设的德国8英寸SiC晶圆厂建设计划或被推迟，最早将于2025年开始。据悉，该工厂由Wolfsp
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SiC 8英寸
3月28日，小米公司正式发布了小米SU7，一共有三款配置，分别是小米SU7 标准版，售价21.59万元；小米SU7 Pro版，售价24.59万元；小米SU7 Max版，售价29.99万元。图片来源：小米公司2021年3月，小米创始人雷军正式宣告小米造车。近三年时间过去，小米SU7正式发布，其相关供应商也浮出水面，既有包括高通、英伟达、博世等国际供应商，也包含了比亚迪、宁德时代、扬杰科技等本土供应链厂商。芯片领域，英伟达为小米汽车提供自动驾驶芯片，小米SU7搭载了英伟达两颗NVIDIA DRIVE Orin
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小米 汽车 碳化硅
华泰证券发布研报称，在3月20日-3月22日开展的2024 SEMICON China(上海国际半导体展览会)上，华泰证券与数十家国内外头部半导体企业交流，并参加相关行业论坛，归纳出以下趋势：1)前道设备：下游需求旺盛，国产厂商持续推出新品，完善工艺覆盖度；2)后道设备：AI拉动先进封装需求，测试机国产化提速；3)SiC：2024或是衬底大规模出海与国产8寸元年；4)元宇宙和微显示：硅基OLED有望成为VR设备主流显示方案，AI大模型出现可能推动智慧眼镜等轻量级AR终端快速增长。 华泰证券主要观点如下：
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元宇宙 AR VR 碳化硅 先进封装
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）近日宣布与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作，设计及研发使用ST被业界认可的碳化硅（SiC）、电气隔离和微控制器的服务器电源参考设计技术。该参考方案是电源设计数位电源转换器应用的理想选择，尤其在服务器、数据中心和通信电源的领域。随着人工智能（AI）、5G和物联网（IoT）的推波助澜下，对数位服务的需求持续成长，能源及用电控制是数据中心永续发展需面对的重要课题。STDES-3KWTLCP参考设计适用于3k
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意法半导体 碳化硅 数字电源 数位电源 电源 肯微
3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先进的碳化硅工厂“John Palmour 碳化硅制造中心”封顶。据其介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。Wolfspeed首席执行官Gregg Lowe表示，工厂已开始安装长晶设备，预估今年12月份或者明年1月，这座工厂将会有产出。该工厂将主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圆，尺寸是150mm（6英寸）晶圆的1.7倍，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求
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功率半导体 碳化硅
据Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技术引领者Wolfspeed在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour 碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据悉，John Palmour 碳化硅制造中心总投资50亿美元，占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工。该制造中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的需求。产能的爬坡将为近期签订的客户协议（瑞萨、英飞凌、以及其他企业等）提供支持，推动具有重要
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Wolfspeed 碳化硅
2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据官方介绍，“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元，获得了来自公共部门和私营机构的支持，将助力从硅向碳化硅的产业转型，提升对于能源转型至关重要的材料的供应。该中心占地445英亩，一期建设预计将于2024年底竣工，该中心将制造200mm碳化硅（SiC）晶圆，显著扩大Wolfspeed材料产能，满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的
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芯片制造 功率半导体 碳化硅
3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞萨 英飞凌
随着近年来对碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，市场研究公司TrendForce表示，对于SiC的成本降低呼声越来越高，因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高，约占50%。因此，衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势，大尺寸衬底逐渐开始被采用，市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算，从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%，从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时，8英寸衬底可以生产更多的芯片，从而减少边缘浪
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SiC 碳化硅
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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碳化硅 氮化镓 第三代半导体
碳化硅（sic）介绍
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