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相变存储 文章 进入相变存储技术社区

Science发表西安交大合作研究成果:突破相变存储速度极限

  •   11月10日,美国Science杂志以First Release的形式发表了西安交通大学与上海微系统与信息技术研究所的合作论文——Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing(降低晶体成核随机性以实现亚纳秒数据存储),该工作从接收到在线发表仅10天。   处于数字全球化的今天,爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战,而且目前商用计算体
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国产55纳米相变存储技术发布

  •   日前,宁波时代全芯科技有限公司正式发布中国自主研发的第一款具有自主知识产权的55纳米相变存储技术,为中国半导体存储厂商在云计算和大数据时代开辟了一条自主创“芯”之路,结束了中国芯片存储技术长期依靠进口,彻底打破了中国的“无芯”时代。发布会现场,宁波市政府相关部门的领导、宁波鄞州工业园区的领导、行业专家和教授以及客户代表、媒体记者约200人见证了55纳米相变存储技术的发布。   从静态随机存储技术(SRAM)到动态随机存储技术(DRAM)再到当前热门
  • 关键字: 55纳米  相变存储  

中国芯片告别进口 相变存储技术问世

  •   11月28日,宁波时代全芯科技有限公司发布了自主研发的55纳米相变存储芯片,成为继韩国三星、美国美光之后,世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业。业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。相变存储是第四代存储技术,比现有传统芯片执行速度快1000倍,耐久性高1万倍。   支撑未来30年的存储技术   以“芯时代、存世界”为主题的“2013宁波时代全芯科技产品发布会”11月28日在宁波举行,宁波时代全
  • 关键字: 芯片  相变存储  

我国已掌握新一代存储芯片核心研发技术

  •   11月28日,宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布,使该公司成为继韩国三星、美国美光之后,世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业,业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。   目前静态随机存储技术、动态随机存储技术和快闪存储技术应用最为广泛。近几年才逐渐步入商品化的最新一代存储技术——相变存储技术,由于是利用材料相变产生不同的特性作资料存储,存储容量远远大于目前的高端硬盘。与现
  • 关键字: 存储芯片  相变存储  

三星出货全球首款多芯片封装相变存储颗粒

  •   相变存储技术看来终于要走出实验室,走向市场了。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后,三星电子近日也宣布,推出全球首款多芯片封装(MCP)PRAM相变存储颗粒产品。   相变存储属于非易失性存储技术,可以像闪存那样在关机后继续保持数据。三星就表示,这款512Mbit容量MCP封装PRAM颗粒在软硬件功能上都和40nm级NOR闪存颗粒完全兼容,方便客户厂商在产品中加入该存储颗粒。由于相变存储技术的高写入速度特性,采用PRAM可有效提升数码设备的存储速度。   三星表示,多芯片封装PRA
  • 关键字: Numonyx  相变存储  NOR  

IEEE:NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限

  •   《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术,看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘,结果选出了两个最有希望的候选 者:相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。   PCRAM我们偶尔会有所耳闻。它基于硫系玻璃的结晶态和非结晶态相变属性,单元尺寸较小,而且每个单元内能保存多个比特,因此存储密度和成本
  • 关键字: NAND  闪存  相变存储  
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