11月10日,美国Science杂志以First Release的形式发表了西安交通大学与上海微系统与信息技术研究所的合作论文——Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable sub-nanosecond memory writing(降低晶体成核随机性以实现亚纳秒数据存储),该工作从接收到在线发表仅10天。
处于数字全球化的今天,爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战,而且目前商用计算体
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术,看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘,结果选出了两个最有希望的候选 者:相变随机存取存储(PCRAM)、自旋极化随机存取存储(STTRAM)。
PCRAM我们偶尔会有所耳闻。它基于硫系玻璃的结晶态和非结晶态相变属性,单元尺寸较小,而且每个单元内能保存多个比特,因此存储密度和成本