- 普拉斯半导体公司日前宣布通讯设备和网络解决方案供应商中兴公司在其新型ZXCME 9500系列以太网交换机中选用了赛普拉斯的QDRtrade;II+ (四倍速trade;) SRAM器件。赛普拉斯的65-nm 72-Mbit QDRII+ SRAM能在目前市场上
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普拉 72-Mbit SRAM 赛普 选用 新型 以太网 交换机 中兴
- ST推出一个新的符合汽车级质量标准、工作温度范围-40℃到+125℃的32-Mbit闪存产品。新产品M29W320是为汽车仪表板系统、汽车多媒体和其它的需要快速访问大量代码和数据的应用专门设计。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的车用NOR闪存产品组合。到2007年第二季度，该系列还将增加一个64-Mbit的NOR闪存IC，到2007年底，还将增加一个128-Mbit的NOR闪存。 采用ST的最先进的0.11µm闪存制造工艺，M29W320可以在2.7V到3
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NOR 汽车级32-Mbit 闪存 消费电子 消费电子
- ST推出一个新的符合汽车级质量标准、工作温度范围-40℃到+125℃的32-Mbit闪存产品。新产品M29W320是为汽车仪表板系统、汽车多媒体和其它的需要快速访问大量代码和数据的应用专门设计。 ST目前提供4 Mbit到32 Mbit的车用NOR闪存产品组合。到2007年第二季度，该系列还将增加一个64-Mbit的NOR闪存IC，到2007年底，还将增加一个128-Mbit的NOR闪存。 采用ST的最先进的0.11µm闪存制造工艺，M29W320可以在2.7V
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NOR ST 汽车电子 汽车级32-Mbit 闪存 消费电子 汽车电子
- ST推出了一个采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。 为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、L
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65nm NOR闪存 ST 单片机 多电平单元 裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 嵌入式系统
- 意法半导体(ST)针对PC BIOS应用推出4 KB存储段粒度的16-Mbit页式可擦除串行闪存 最高50MHz SPI兼容总线，快速页式擦除，标准引脚，M25PE16是参数代码存储的最佳解决方案 意法半导体（纽约证券交易所代码： STM)宣布，M25PE系列页式可擦除串行闪存产品新增一个段粒度4-Kbyte的16-Mbit存储器芯片，该产品是PC BIOS应用以及光驱、数字录音机、网络产品以及机顶盒(STB)等消费电子存储应用的最佳选择。作为
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16-Mbit 4 BIOS KB PC ST 串行 存储段粒度 单片机 可擦除 嵌入式系统 闪存 页式 意法半导体 存储器
汽车级32-mbit介绍
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