- 利用50-40nm的工艺制程节点，NAND闪存密度已达到16 GB/D及超过2B/C多级单元（MLC）技术。尽管位元密度强劲增长，但是NAND闪存的编译能力一直停留在10MB/S范围内。由于数字内容需要的增长，公司更加重视改进NAND闪存装置的编译和读取性能，使其比特更高和性能更快，以满足消费者的需要。再加上存储产品价格急剧下降，高比特高性能已成为各个公司努力追求的方向。
2008年国际固态电路会议的论文和2007
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NAND 栅极感应 DDR MLC MLC
栅极感应介绍
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