SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性,能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时,SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战,稍有不慎就无法获得正确的波形,从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中,最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量,包括两个部分:开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的,这会导致设备和人员危险,同时还会由