IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件的行为类似于 MOSFET。它的载流路径与 BJT 的集电极-发射极路径非常相似。图 1 显示了 n 型 IGBT 的等效器件电路。图 1. IGBT的等效电路一 了解基本驱动器图 2. IGBT的导通电流了快速导通和关断 BJT，必须在每个方向上硬驱动栅极电流，以将载流子移入和移出基极区。当 MOSFET 的栅极被驱动
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IGBT 栅极 驱动
当今行业中发现的大多数 FET 都是由硅制成的，因为它具有出色且可重现的电子特性。根据摩尔定律，硅受到薄通道厚度下迁移率下降的困扰，这为高度缩放的设备保持强静电。过渡金属二硫化物 (TMD) 等二维沟道材料可用于 FET 以解决此问题。由于2D 材料具有二维表面，因此它们具有更好的迁移率水平，包括在 0.7 A 下实现激进的沟道长度缩放。自从在现代电子产品中引入场效应晶体管 (FET) 以来，理论和应用电路技术已经取得了多项改进。FET 是低频和中频的低噪声放大器以及高输入阻抗放大器、电荷敏感放
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栅极 FET
具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的SiC MOSFET产品相比，在桥式结构情况下的栅-源电压的行为不同。在上一篇文章中，我们介绍了LS（低边）SiC MOSFET导通时的行为。本文将介绍低边SiC MOSFET关断时的行为。本文的关键要点1 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的行为不同。2 要想正确实施SiC MOSFET的栅-源电压的浪涌对
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ROHM 桥式结构 栅极
在功率开关器件最常见的应用中，包括与上一篇文章中提到的双脉冲测试电路相同的桥式结构。对于桥式结构情况下的栅-源电压的行为，在Tech Web基础知识SiC功率元器件的“SiC MOSFET：桥式结构中栅极-源极间电压的动作”和这篇文章所依据的应用指南“桥式结构中栅极-源极电压的行为”中，介绍了相互影响的动作情况。● 具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MO
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罗姆 栅极，桥式结构
半导体制程工艺上，英特尔要是说第二，那没人敢说第一。晶圆制造这个圈子，英特尔毫无疑问处于第一流，其他厂商包括IBM，英飞凌，NEC，意法半导体以及东芝等公司，以及目前半导体代工行业的老大老二老三——台积电、GlobalFoundries、三星，统统都是二流。
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英特尔 半导体 栅极
在之前的章节已经说道，如果要实现一个放大器的功能，需要一个固定的放大倍数(Gain)，这也就是说输出信号应该是跟随输入信号变化而变化，换句话说输出信号应该要受到输入信号的控制。
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放大器 输入信号 三极管 二极管 栅极
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出可在1.5V～5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关--- SiP32458和SiP32459。这两款器件均具有一个集成的可提供稳定的20mΩ低导通电阻，同时保持低静态电流的栅极泵。
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Vishay 栅极
当数字功率放大器的输出功率大于50W之后，就无法只用单片全集成的集成电路来构成放大器，必须采用栅极驱动器集 ...
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栅极 驱动器 集成电路 数字功率放大
由于SI技术得到广泛应用，而电子电路都可能有故障存在，这就提出一个新的课题：怎样对SI电路进行故障诊断。 ...
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采样 栅极 线性 激励
通过利用JFET在零偏置时导通大电流的能力，能够设计出一种自起动、低输入电压的转换器。...
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绕组 电压 栅极 偏压
栅极介绍
由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，插在电子管另外两个电极之间,起控制板极电流强度、改变电子管性能的作用。
在场效应管中,栅极是由英文gate electrode翻译而来的.位置类似于晶体三极管中的Gate. [
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