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晶圆减薄文章进入晶圆减薄技术社区

宜特晶圆减薄能力达1.5mil

随5G、物联网、电动车蓬勃发展，对于低功耗要求越来越高，功率半导体成为这些产业势不可挡的必备组件。宜特(TWSE: 3289)晶圆后端工艺厂的晶圆减薄能力也随之精进。宜特今(1/6)宣布，晶圆后端工艺厂（竹科二厂），通过客户肯定，成功开发晶圆减薄达1.5mil(38um)技术，技术门坎大突破。同时，为更专注服务国际客户，即日起成立宜锦股份有限公司(Prosperity Power Technology Inc)。使用控片测得2mil、1.5 mil、1.5 mil优化条件后的损坏层厚度及TEM分析宜
关键字：宜特晶圆减薄

得益于晶圆减薄工艺与创新的封装，功率MOSFET在不断进步

要点1.导通电阻与栅极电荷规格的改善正在变得更难以实现和更昂贵。2.作为功率开关器件的选择，硅远未到...
关键字：晶圆减薄 MOSFET

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晶圆减薄介绍

　　晶圆减薄　　集成电路制造技术的进步首先来源于市场需求的要求，其次是竞争的要求。在集成电路制造中，　　半导体硅材料由于其资源丰富，制造成本低，工艺性好，是集成电路重要的基体材料。　　从集成电路断面结构来看，大部分集成电路是在硅基体材料的浅表面层上制造。由于制造工艺的　　要求，对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。因此在几百道工　　艺流程中，不可 [ 查看详细 ]

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