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无源器件 文章 进入无源器件技术社区

为何晶振并联一个1MΩ电阻?晶振低温不起振如何解决?

  • 无源晶振并联一个1MΩ电阻电路图问题描述:在一些方案中,晶振并联1MΩ电阻时,程序运行正常,而在没有1MΩ电阻的情况下,程序运行有滞后及无法运行现象发生。原因分析:在无源晶振应用方案中,两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此,当发生程序启动慢或不运行时,建议给晶振并联1MΩ的电阻。这个1MΩ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区不存在增益, 而在没有增益的条件下晶振不起振。简而言之,并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗(-R),即提升
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二极管选型指南

  • 1正向导通压降压降:二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。导通压降:二极管开始导通时对应的电压。正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。
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单片机晶振为什么不起振?

  • 虽然现在嵌入式的应用非常多,但是单片机的应用也还有非常多的应用之处。尤其是一些成本要求非常高的地方。本文将就常见的晶振问题加以说明和介绍。单片机晶振不起振原因分析遇到单片机晶振不起振是常见现象,那么引起晶振不起振的原因有哪些呢?(1) PCB板布线错误;(2) 单片机质量有问题;(3) 晶振质量有问题;(4) 负载电容或匹配电容与晶振不匹配或者电容质量有问题;(5) PCB板受潮,导致阻抗失配而不能起振;(6) 晶振电路的走线过长;(7) 晶振两脚之间有走线;(8) 外围电路的影响。解决方案,建议按如下方
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滤波电容怎么选?选多大容值?

  • 电源滤波电容如何选取,掌握其精髓与方法,其实也不难。理论上理想的电容其阻抗随频率的增加而减少(1/jwc),,但由于电容两端引脚的电感效应,这时电容应该看成是一个LC串连谐振电路,自谐振频率即器件的FSR参数,这表示频率大于Fsr(串联谐振频率)值时,电容变成了一个电感(频率超过Fsr电容此时呈感性),如果电容对地滤波,当频率超出Fsr后,对干扰的抑制就大打折扣,所以需要一个较小的电容并联对地,可以想想为什么?电容器,高频等效模型原因在于小电容,Fsr值大,对高频信号提供了一个对地通路,所以在电源滤波电路
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高性能计算市场大涨,不起眼的元器件价值量提升8倍

  • 随着高性能计算(HPC)系统,特别是 AI 服务器的市场规模不断扩大,其核心处理器,包括 CPU、GPU、NPU、ASIC、FPGA 等,以及内存、网络通信等芯片元器件的性能和功耗水平都在提升。随着性能提升,功率管理水平的提升显得更加重要,因为 HPC 系统,特别是 AI 服务器的耗电量越来越大,对整个系统,以及主要芯片的功率管理能力提出了更高要求。在 AI 服务器中,CPU 需要供电,GPU 板卡需要供电,内存(DDR4、DDR5、HBM)需要供电,各种接口也需要供电。此时,电源管理系统就显得非常重要了
  • 关键字: 无源器件  芯片电感  

MOS管基础及选型指南

  • MOS管,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比,MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势,在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源领域得到了越来越普遍的应用。▉ 场效应管分类场效应管分为结型(JFET)和金属-氧化物-半导体型(MOSFET)两种类型。JFET的英文全称是Junction Field-Effect Transistor,也
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如何区分有源晶振与无源晶振

  • 我们知道,电子线路中的晶体振荡器分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振的英文名称不同,无源晶振为crystal(晶体),而有源晶振则叫做oscillator(振荡器)。无源晶振 有源晶振一、无源晶振无源晶振一般有两个引脚,无极性。它自身无法震荡起来,一般外部都接有两个10-22PF的瓷片电容。无源晶振参考电路无源晶振信号质量较差,通常需要精确匹配外围电路(用于信号匹配的电容、电感、电阻等),更换不同频率的晶体时周边配置电路也需要做相应的调整。一般建议采用精度较高的石英晶体,尽可能不要采用精度低
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浪涌保护器件介绍

  • 压敏电阻、气体放电管、TVS管(瞬间抑制二极管)三种器件都限压型的浪涌保护器件,都被用来在电路中用作浪涌保护,那么他们有什么之间有什么差异呢?压敏电阻压敏电阻的响应时间为ns级,比气体放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千PF的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。TVS管TVS和齐纳稳压管都能用作稳压,但是齐纳击穿电流
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三极管电路,分析有方法

  • 三极管有静态和动态两种工作状态。未加信号时三极管的直流工作状态称为静态,此时各极电流称为静态电流,给三极管加入交流信号之后的工作电流称为动态工作电流,这时三极管是交流工作状态,即动态。一个完整的三极管电路分析有四步:直流电路分析、交流电路分析、元器件和修理识图。01 直流电路分析方法直流工作电压加到三极管各个电极上主要通过两条直流电路:一是三极管集电极与发射极之间的直流电路,二是基极直流电路。通过这一步分析可以搞清楚直流工作电压是如何加到集电极、基极和发射极上的。如图所示,是放大器直流电路分析示
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二极管导通AB两端的控制条件藏在A中,而三极管却是藏在C中。

  • 1.单向开关二极管,连接AB两端的管子。像一个开关,闭合导通,断开分离。二极管中的PN结充当开关的阀门。AB两端的压差超过0.7V时,开关打开,管子导通。值得注意的是,二极管导通AB两端的控制条件藏在A中,而三极管却是藏在C中。对器件烂熟于于心,最好的方式莫过于搞懂他的曲线,这,是他的一生!下图清晰地呈现了二极管的闭合条件:超过阈值电压0.7V,两极的电流陡然增加,通了!同时,也呈现了损坏条件:给足反向电压,同样会使PN结导通(反向导通),对普通二极管而言,这是一种不可逆转的破坏。正向导通,称为正偏,此时
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解析三极管的电阻位置

  • 三极管用作开关时的常见电阻配置,如下图所示。本文尝试解析为何这些电阻要放置在这个位置,而不是那个位置。在其位,谋其职。电阻R11)产生基级电流Ib【三极管是流控型器件】流控在于,其输出电流IC和IB具有关系IC=β*IB2)限流【串联电阻的主要作用就是限流】电阻R31)跟R1组合形成基级分压回路,用于产生开启电压(比5V小,有些管子耐受电压较小)2)提供一个电压泄放回路(如果VDD的5V有浪涌的话)电阻R41)产生发射级电流IC2)限流进一步,为什么R4要放在三极管上面,也就是C级,而不是E级?看一张图,
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X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成无源器件(IPD)制造能力,进一步增强其在射频(RF)领域的广泛实力。公司在欧洲微波展(9月17至22日,柏林)举办前夕推出XIPD工艺;参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员(位于438C展位)就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层,让客户能够在其器
  • 关键字: X-FAB  无源器件  晶圆代工厂  

使用微型模块SIP中的集成无源器件

  •   简介  集成无源器件在我们的行业中并不是什么新事物——它们由来已久且众所周知。实际上,ADI公司过去曾为市场生产过这类元件。当芯片组将独立的分立无源器件或者是集成无源网络作为其一部分包含在内时,需要对走线寄生效应、器件兼容性和电路板组装等考虑因素进行仔细的设计管理。虽然集成无源器件继续在业界占据重要地位,但只有当它们被集成到系统级封装应用中时才能实现其最重要的价值。  几年前,ADI开始推出新的集成无源技术计划(iPassives™)。ADI旨在通过这项计划提供二极管、电阻、电感和电容等无源元件,从而
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无源器件在低频电路和高频电路种的特性分析

  •   我们先来说说电容,都说大电容低频特性好,小电容高频特性好,那么根据容抗的大小与电容C及频率F成反比来说的话,是不是大电容不仅低频特性好,高频特性更好呢,因为频率越高,容量越大,容抗就越低,高频就是否越容易通过大电容呢,但从大电容充放电的速度慢来说的话,高频好像又不容易通过的,这不很矛盾吗?  首先,高频低频是相对的。如果频率太高,那么,电容的容量变得再大也没有意义,因为,大家知道,线圈是电感,是阻高频的,频率越高,阻碍作用越大。尽管电感量很小,但是,大容量电容一般都有较长的引脚和较大的极板圈在一起,这
  • 关键字: 无源器件  低频电路  高频电路  

中国电子展带你分析被动元(无源)器件淡季不淡的原因

  •   从去年2月份至今,已经有至少四家被动件原厂相继涨价,涨价背后的深层原因是什么?重压之下采购的日子怎么过?今天我们一起来探讨。  2017年以存储芯片、被动元器件、功率器件为主的缺货涨价对电子产业链上下游供需市场带来超乎以往的影响。从市场反应的缺货情况看,存储芯片DRAM、NAND Flash、NOR Flash三类产品无一例外。被动元器件集中在MLCC、钽电容、铝电解电容的涨价或缺货,功率器件以MOSFET、IGBT、IPM等为主其他的还有MCU、电源IC等。  以被动元件为例。被
  • 关键字: 电子展  无源器件  
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无源器件介绍

  无源器件   在不需要外加电源的条件下,就可以显示其特性的电子元件。无源元件主要是电阻类、电感类和电容   无源器件类器件,它的共同特点是在电路中无需加电源即可在有信号时工作。   电阻   电流通过导体时,导体内阻阻碍电流的性质称为电阻。在电路中起阻流作用的元器件称为电阻器,简称电阻。电阻器的主要用途是降压、分压或分流,在一些特殊电路中用作负载、反馈、耦合、隔离等。   电阻在电路 [ 查看详细 ]

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