- 近日，恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者，宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术，具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性，适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产，并向市场供货。
这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身，一颗存储器芯片即可实现很多新功能。新产品发布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其写入速度有望达到现有闪存的300倍，耐写次
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恒忆 相变存储器
- 非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。
经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。
目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制，相变存储器(PC
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恒忆 NVM 存储器 浮栅存储
- 走在下行周期上的半导体产业碰上了30年代“大萧条”后全球最惨烈的经济危机，犹如雪上加霜。而作为整个行业晴雨表的存储器更是早在去年就表现出了极大的疲软态势。英特尔和意法半导体剥离闪存事业部后，联合成立的闪存公司恒忆（Numonyx）却在今年4月挂牌营运，在这样一个人人自危的时候，作为全球最大的闪存公司，恒忆是如何看待闪存市场前景的？
恒忆（亚洲）副总裁兼总经理 Rolf-Peter Seibl
“存储器市场的确在一些细分市场除了先乐周期性衰退，但是我们相信
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恒忆 闪存 200812
- 恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元 (MLC) NAND闪存、32GB（gigabytes）的eMMC存储芯片和高达8 GB的 microSD产品，全部采用先进的41nm制造工艺。对于手机、便携导航仪等消费电子产品厂商，这些新产品将是一系列易于设计的存储器解决方案；对于消费者，新产品将提供更大的存储空间，他们可以在设备上保存相片、视频和音乐，使用流行的多媒体应用程序。
从机顶盒到手机，凡
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- 恒忆（Numonyx）今天宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品，进行技术创新。
根据新协议，恒忆和海力士将扩大联合开发的范围，共同提供领先的NAND存储器技术和产品，并且整合资源以加快未来NAND技术及解决方案的开发。在应用于手机多芯片封装的移动DRAM领域，双方也将进行合作。
恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示："未来五年，在
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NAND 恒忆 海力士 闪存
- 恒忆 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途
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存储器 恒忆 Numonyx RAM
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