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开尔文 文章 进入开尔文技术社区

使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率

  • 碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管,但需要使用低热阻封装,比如 TO-247。然而,此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文,了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商,它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
  • 关键字: Qorvo  开尔文  FET  

基于开尔文四线法进行接触电阻的测量实例

  • ASTM的方法B539“测量电气连接的接触电阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信号电平接触电阻”是通常用于测...
  • 关键字: 开尔文  四线法  接触电阻  测量实例  
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