全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
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EPC 1mΩ 导通电阻 GaN FET
热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。简介热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的
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MOSFET 导通电阻
【2023 年 5 月 12 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。这使得全新 MOSFET 成为所有的标准和未来车用 40V MOSFET 应用的理想选择，如电动助力
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英飞凌 OptiMOS 导通电阻
作者/Bryson Barney 安森美半导体 应用工程师 摘要：负载开关在电源管理和负载保护中发挥重要作用。在为特定应用选择负载开关时有一些因素要考虑，此外，现在还可以使用一些性能和功能得以改进的新器件。 关键词：负载开光；电源管理；导通电阻 0 引言 电源是推动我们现代世界技术的命脉，我们越来越依赖高科技产品在忙碌的工作中和工作外的生活中帮助我们。管理和控制电源是高科技、低功耗应用的一个重要主题。无论是为更大的设备开发复杂的多轨电源系统，还是利用电池供电设备的最后一小部分电量，电源管理都是
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201906 负载开光 电源管理 导通电阻
引言
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热拔插 导通电阻
2013 年 12 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay Si8851EDB 导通电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 导通电阻
2013年10月15日，Silego公司的电源族又推出了纳安级功耗负载开关系列。此系列推出了两款产品：支持6A负载电流的SLG59M1470V和支持2A负载电流的SLG59M1460V。
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Silego MOSFE 导通电阻
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电阻 MOSFET。该最新系列 FemtoFET™ MOSFET 晶体管采用超小型封装，支持不足 100 毫欧的导通电阻。
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TI MOSFET 导通电阻
2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω
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Vishay CMOS 导通电阻
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出内嵌反向电流阻隔电路[1]的负荷开关集成电路，该集成电路提供业内最低的[3]导通电阻，即18.4mΩ[2]。这些集成电路可作为智能手机、平板电脑、超极本(Ultrabooks™)和其他移动设备内使用的电源管理开关。样品出货今日启动，并计划于2014年投入量产。
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东芝 导通电阻 集成电路
2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 导通电阻
电阻值的测量通常比较简单。但是，对于非常小阻值的测量，我们必须谨慎对待我们所做的假定。对于特定的几何形状，如电线，Kelvin方法是非常精确的。可以使用类似的方法来测量均匀样本的体电阻率和面电阻率，但是所使
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MOSFET 精确测量 导通电阻
与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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导通电阻介绍
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