减少能源转换损耗和提高能效是人们的不懈追求，新的宽带隙 (WBG) 半导体是一个切实可靠的节能降耗解决方案，可以通过系统方式减少碳足迹来减轻技术对环境的影响。例如，我们最新的 650 V、
750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶体管，可以让设计人员开发续航里程更长的电动汽车动力总成系统。更高的能效可以大幅简化冷却系统设计，更小更轻的电子设备有助于最大限度降低车自重，在相同电量条件下，自重更轻的汽车行跑得更远。意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG) Fil
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202207 宽带隙 WBG 意法半导体
受访人：Filippo Di Giovanni（意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG)）1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 意法半导体的第三代碳化硅是我们的STPOWER SiC MOSFET技术改良研发活动取得的新进展，是为了更好地满足电动汽车厂商在用碳化硅设计的动力电机逆变器、车载充电机和DC-DC转换器时的严格要求。在高端工业领域，我们的第三代碳
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意法半导体 宽带隙 WBG
数字化、低碳化等全球大趋势推升了采用宽带隙 (WBG)器件碳化硅/氮化镓 (SiC/GaN) 器件的需求。这类器件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。英飞凌科技公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 与台达电子工业股份有限公司 (TWSE: 2308) 两家全球电子大厂，长期致力于创新的半导体和电力电子领域，今日宣布深化其合作，强化宽带隙SiC及GaN器件在高端电源产品上的应用，为终端客户提供出色的解决方案。 600 V CoolGaN HSOF
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英飞凌 宽带隙 电源
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