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基极 文章 进入基极技术社区

三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  •   本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。   三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和;   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载
  • 关键字: 三极管  基极  

模拟电子—从放大器说起(三):双极型三极管

  • 1947年12月,贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管,从这一天开始整整一个时代拉开了序幕 。
  • 关键字: 晶体管  三极管  基极  放大器  VBE  

电子高频金属探测器原理

金属探测器原理与制作

晶体管参数——电流放大系数

  • 电流放大系数也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。
  • 关键字: 基极  静态  信号  输入  

实用线性宽量程精密恒流仪的制作及应用

  • 恒流源与稳压源一样,是电子线路中的基本单元。随着电子技术和元器件的发展,恒流技术已得到了快速的发展和广泛...
  • 关键字: 稳压  基极  发射  并联  

触摸式电器开关电路

  • 本文所示为一触摸式电器开关电路,电路简单,容易制作。
  • 关键字: 基极  导通  回路  功率  
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基极介绍

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。三极管的结构示意图如图1所示,电路符号如图2所示。 从三个区引出相应的电极,分别为基极b,发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。 共基极电路: 输入信号电压Vi加在发射极, [ 查看详细 ]

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