- FET电流源是一种有源电路，它使用场效应晶体管为电路提供恒定量的电流。但是，为什么还要恒定电流呢？恒流源和吸电流（吸电流与电流源相反）是一种非常简单的方法，只需使用单个FET和电阻即可形成具有恒定电流值的偏置电路或基准电压源，例如100uA、1mA或20mA。FET电流源是一种有源电路，它使用场效应晶体管为电路提供恒定量的电流。但是，为什么还要恒定电流呢？恒流源和吸电流（吸电流与电流源相反）是一种非常简单的方法，只需使用单个FET和电阻即可形成具有恒定电流值的偏置电路或基准电压源，例如100uA、1mA或
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场效应 管电流源
- 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件，包括用于新型服务器和人工智能的
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氮化镓 场效应
- 本文介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压...
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逆变器 场效应 电源制作
- 场效应晶体管放大器是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求 ...
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- HVVi推出首个高频高电压垂直场效应三极管 HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管（HVVFET?），HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级，远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的性能级别，而其成本水平却极具吸引力。
作为初始发布的一部分，HVVi还推出基于这一新颖HVVFET构架的最早三款产品。用于L-波段高功率脉冲RF应用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三个新产品
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HVVi 高频 高电压 场效应 三极管
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