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新思科技和台积合作在其5纳米 FinFET 强化版N5P制程技术上开发DesignWare IP核产品组合

• 台积公司5奈米 FinFET 强化版（N5P）制程技术上开发的DesignWare PHY IP核包括USB、DisplayPort、DDR、LPDDR、HBM、PCI Express、Ethernet、MIPI和HDMI台积公司N5P工艺上开发的DesignWare基础IP核包括高速、面积优化和低功耗的嵌入式存储器、逻辑库和一次性可编程非易失性存储器。STAR Memory System™采用针对5nm FinFET晶体管缺陷的新算法，可有效测试、修复和诊断嵌入式存储器新思科技（Synopsys, In
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