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动态存储器 文章 进入动态存储器技术社区

IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM

  •   IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM测试芯片,并称该芯片是半导体业界面积最小、密度最高、速度最快的片上动态存储器。   IBM表示,使用SOI技术可使芯片性能提高30%,功耗降低40%。IBM还表示,基于SOI技术的嵌入式DRAM每个存储单元只有一个单管,和32nm、22nm的片上SRAM相比,具有更理想的密度和速度。   IBM的这款32nm SOI嵌入式DRAM周期时间可以小于2纳秒,与同类SRAM相比待机功耗降低4倍,软错误率降低1000多倍,功耗也大大减少。   IBM希望将3
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动态存储器介绍

目录 1 定义 2 原理 3 类别和相关产品 4 优缺点: 5 应用领域 动态存储器-定义 原理图  在指定功能或应用软件之间共享的存储器。 如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间,此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。 例如,日历、短信息 (Short Message Service,SMS)和电话簿 (或通讯录) 可能会共享移动设备中的动态存储 [ 查看详细 ]

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