- 和传统的硅功率半导体相比，GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能 , 是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性，简单来说，GaN
的开关速度比 SiC 快，SiC 工作电压比 GaN 更高。GaN
的寄生参数极小，开关速度极高，比较适合高频应用，例如：电动汽车的 DC-DC（直流 - 直流）转换电路、OBC（车载充电）、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大
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202207 东芝 共源共栅 GaN
- 摘要：针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电
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带隙基准电压源 温度系数 共源共栅 CMOS
- 随着集成电路技术的不断发展，高性能运算放大器广泛应用于高速模/数转换器（ADC）、数/模转换器（DAC）、开关电容滤波 ...
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折叠 共源共栅 运算放大器
- 本文设计了一种采用增益增强结构的带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅跨导运算放大器，可用于流水线结构的A/ ...
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增益增强 共源共栅 放大器
- 摘要：基于CSMC0．5mu;m标准CMOS工艺，采用复用型折叠式共源共栅结构，设计一种折叠式共源共栅运算放大器。该电路在5V电源电压下驱动5pF负载电容，采用Cadence公司的模拟仿真工具Spectre对电路进行仿真。结果表明，
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性能 共源共栅 放大器设计 运算
- 摘要：利用共源共栅电感可以提高共源共栅结构功率放大器的效率。这里提出一种采用共源共栅电感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的设计方案，使用CMOS工艺设计了两级全差分放大电路，在此基础上设计输入输出匹配网络
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CMOS 共源共栅 功率放大器 方案
共源共栅介绍
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