- 11月25日，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器（MCU），并将在台积电的28纳米节点上制造。自第一个发动机管理系统问世以来，嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要构建块。目前，市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术（eFlash）技术。而RRAM是嵌入式存储器的下一步，可以进一步扩展到28纳米及以上。英飞凌AURIX TC4x MCU系列将性能扩展与虚拟化、安全和网络功能的最新趋势相
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