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互补金属氧化物半导体 文章 进入互补金属氧化物半导体技术社区

相变存储器驱动电路的设计与实现

  • 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16 Kb以及1 Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海) 有限公司的0118μm标准CMOS 工艺实现。
  • 关键字: 相变存储器  PCM  电流驱动  基准电压  偏置电流  电流镜  互补金属氧化物半导体  
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互补金属氧化物半导体介绍

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