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二维数值 文章 进入二维数值技术社区

功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

  • 摘要:在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可提高器件负
  • 关键字: 二维数值  模拟  能力  SEB  MOSFET  功率  
共1条 1/1 1

二维数值介绍

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