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z-nand 文章 进入z-nand技术社区

市况好转 内存厂Q3获利嗨

  • NAND Flash现货价于8月中旬反弹,DRAM价格也在9月开始回升,内存市况确立好转,带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报,内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损;内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益(EPS)皆有1元以上,宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看,第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商,则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安,财务成绩表现亮眼。此外,威刚14日公告10月自结财务数
  • 关键字: 内存  ​NAND Flash  DRAM  

2023年慕尼黑华南电子展:EEPW&东芯半导体股份有限公司

  • 在本次展会上,东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年,作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总,这次在2023年慕尼黑华南电子展上,陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品,包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
  • 关键字: 东芯半导体  NAND  NOR  DRAM  存储  

SK 海力士

  • 韩国芯片制造商 SK 海力士(SK Hynix)在经历了又一个利润率和收入下降的季度后,表现得很勇敢,强调了需求的逐步恢复,以及在今年早些时候削减资本支出后,计划在 2024 年增加资本支出。在第三季度财报电话会议上,首席财务官 Kim Woohyun 指出,对高性能存储芯片的需求不断增长,降低了销售额的下降率。然而旗舰智能手机的发布和人工智能服务器部署的激增推动了芯片需求。"我们相信,内存行业终于度过了严重的低迷期,正在进入全面复苏阶段"。Kim指出,该公司的目标是通过考虑投资效率和
  • 关键字: SK海力士  韩国  NAND  

预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨

  • 据TrendForce集邦咨询最新研究显示,第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低,因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因,供应方面:三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等,持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面:2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)除了受传统旺季带动,华为Mate
  • 关键字: Mobile DRAM  NAND Flash  TrendForce  

NAND闪存市场,开始洗牌

  • 最近,铠侠和西部数据的合并已经传来消息,或将于本月达成合并协议。当初,业内听到这两大存储企业的合并是非常惊讶的,毕竟铠侠在 NAND 领域世界排名第二、西部数据排在第四,这两大巨头的合并可以震动存储市场。具体来看一下,目前两家企业的合并方式。西部数据这边将拆分 NAND Flash 闪存部门,与铠侠合并。在合并后成立新的控股公司,在交换新公司所需数量的股份后,西部数据将保留 50.1% 的资产,其余 49.9% 将归铠侠所有。新的公司在美国注册,但总部设置在日本,并且股票将在美国和东京证劵交易所上市,采用
  • 关键字: NAND  

传三星计划2024年将量产第九代V-NAND闪存

  • 近日,据媒体报道,三星电子存储业务主管李政培称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前,存储产业处于缓速复苏阶段,大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看,NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关:SK海力士已至321层,美光232层,三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280层)。据悉,三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层)
  • 关键字: 三星  第九代  V-NAND  闪存  

三星将扩建中国西安的NAND芯片工厂

  • 三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并开始大规模扩张。据外媒,三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并开始大规模扩张。报道中称,三星已开始采购最新的半导体设备,新设备预计将在2023年底交付,并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。此前消息称,美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无需其他许可。据了解,目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地,约占了三星NAND总产量的40%。
  • 关键字: 三星  NAND  西安  

三星西安工厂工艺升级获批,将引进236层NAND芯片生产设备

  • 据悉,三星电子经营高层日前做出决定,将升级位于中国西安的 NAND 闪存工厂,为完成工厂制程升级已下单采购最新半导体设备,或将于今年年底开始引进新设备。西安工厂是目前三星电子位于海外的唯一内存芯片生产基地,2014 年开始投产,经 2020 年扩建二期项目后,目前每月生产 20 万张 12 英寸芯片,是全球最大的 NAND 闪存生产基地,占三星电子 NAND 芯片总产量的 40% 以上。三星电子计划明年在西安工厂内部署生产 236 层(第 8 代)NAND 芯片的设备,并依次完成工艺转换。2022 年 1
  • 关键字: 三星电子  NAND  

第四季NAND Flash合约价季涨幅预估8~13%

  • 据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示,由于供应商严格控制产出,NAND Flash第四季合约价全面起涨,涨幅约8~13%。展望2024年,除非原厂仍能维持减产策略,且服务器领域对Enterprise SSD需求回温,否则在缺乏需求作为支撑的前提下,NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面,由于原厂及模组厂均积极涨价,促使PC OEM欲在价格相对低点预备库存,采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量,已在第三季推出促销,故Client SSD价格没有
  • 关键字: NAND Flash  TrendForce  

三星、SK海力士拿到无限期豁免权

  • 10月9日,韩国总统办公室通报,美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下,三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备,该决定一经通报即生效。据悉,无限期豁免将通过更新Validated End-User(VEU)清单来取得。若被纳入该清单,便无需额外获得许可,代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示,“通过与相关政府的密切协调,与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示,“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信,这一决定将
  • 关键字: 三星  SK海力士  NAND  DRAM  半导体设备  

存储芯片,果真回暖了

  • 受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响,存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示,DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均价跌幅收敛至 13%~18%,Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似,NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%,今年 Q1 NAN
  • 关键字: NAND  SSD  DRAM  

1γ DRAM、321层NAND!存储大厂先进技术竞赛仍在继续

  • 尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响,存储产业身处下行周期,但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。对DRAM芯片而言,先进制程意味着高能效与高容量,以及更好的终端使用体验。当前,DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代,美光称之为1β DRAM,三星称之为1b DRAM。美光去年10月开始量产1β DRAM之后,计划于2025年量产1γ DRAM,这将是美光第1代采用极紫外光(EUV)的制程技术,目前在美光只在台中有EUV的制造工厂,因此1γ制程势必会先在台中厂量产,未来日本厂也有望导入EUV
  • 关键字: DRAM  NAND  存储  

消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格

  •  10 月 6 日消息,据韩媒 Business Korea 报道,三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低,公司计划今年四季度起,调涨 NAND Flash 产品的合约价格,涨幅在 10% 以上,预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来,三星一直奉行减产战略,IT之家此前曾报道,三星的晶圆产量大幅下降了 40%,最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域,之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量,眼下正试图推动
  • 关键字: 三星  NAND  flash  涨价  

面对美国的护栏最终规则,韩国半导体公司被建议改变中国市场战略

  • 面对美国的护栏最终规则,韩国半导体公司被建议改变中国市场战略据韩国新闻媒体报道,随着拜登政府最终确定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)资金分配和限制的国家安全护栏,韩国半导体公司可能不得不改变他们在中国的业务,并利用其在那里的成熟节点能力来针对国内需求的产品。关于最终规则对三星和SK海力士的影响,人们有不同的意见。但有一点是肯定的:希望获得CHIPS法案资助的公司在美国扩大产能的公司将不得不接受拜登政府设定的条件,并在未来10年内避免在中国进行实质性产能扩张。商务部的新闻稿显示,补贴接受者在
  • 关键字: CHIPS法案  韩国半导体  DRAM  NAND  

集邦咨询:2023Q4 NAND 价格预估增长 3-8%,DRAM 要开启增长周期

  • IT之家 9 月 27 日消息,存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后,终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道,伴随着主要存储制造商的持续减产,已经市场去库存效果显现,预估 NAND Flash 价格回暖之后,DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损,2023 年以来已经进行了多次减产,目前相关效果已经显现,消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹,9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产,主要集中在 128 层以下产品中,在 9 月产量下降了
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  
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