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xpg spectrix d60g ddr4 文章

小改变大不同 揭秘DDR4内存与DDR3区别

  • DDR3内存自从2007年服役以来,至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说,内存发展可谓相当缓慢。不过好在2014年底,各大厂商纷纷上架DDR4内存产品,起跳频率达到2133MHz,标志着DDR3时代的终结。
  • 关键字: DDR4  DDR3  

Wide I/O、HBM、HMC将成存储器新标准

  •   现行的DDR4及LPDDR4存储器都是以既有的DRAM设计为基础,其中许多技术已沿用长达十余年,而今无论是系统总频宽或中央处理器(CPU)等作业环境都不可同日而语。有鉴于此,发展新的解决方案为眼下业界的共识,Wide I/O、HBM及HMC等三大新存储器标准遂成业界关注重点。   据ExtremeTech网站报导指出,过去近20年来存储器规格已从第一代的SDRAM DIMM发展至DDR4-3200,成长高达48倍。因此,现今业界虽针对是否应进一步以此标准定义DDR5有所争议,更多人却倾向发展新的存储
  • 关键字: SDRAM  DDR4  

DDR4能否引领新一轮存储变革?

  • 台湾曾将DRAM视为支柱产业,但随着移动设备与物联网市场的火爆,需求朝向更小、更省电的方向,而非速度跟效率。若能掌握新趋势,未来台湾厂商在内存产业仍将大有可为。
  • 关键字: DRAM  DDR4  

引进CRC/3DS架构 DDR4数据传输性能/可靠度跃升

  •   相较前一代记忆体规格,第四代双倍资料率(DDR4)新增超过二十种功能,其中,采用循环冗余校验码(CRC)和立体矽堆叠(3DS)技术更是重大变革,前者可即时检测资料汇流排上的错误讯息,提升可靠度;后者对提升时序和功率效能则大有帮助。   随着标准不断演进,新一代记忆体规范通常着重于提升资料传输速率,其他方面仅略做调整,但第四代双倍资料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相时,便新增超过二十种功能,比先前DDR规格足足多一倍。   前几代的DDR规格创新,主要目标是提供更快速度或更广泛的应用,然而,
  • 关键字: DDR4  CRC  

中国芯:澜起科技的酸甜苦辣之2014

  •   澜起科技在2014年的年初和年末分别经历了的强烈的指责以及年末并购案对公司利好的喜悦。那么除了这大喜和大悲之后,澜起科技在2014年同样还经历了二次增发成功的幸福,被做空股价动荡的苦恼,有收到私有化要约的震惊,有中间起起伏伏的波折,有节节高升的业绩,更有私有化成功的回归。
  • 关键字: 中国芯  澜起科技  DDR4  

20纳米转换困难重重 4GB DDR4主流之路恐延后

  •   DRAM厂转进20纳米制程困难重重,业界传出美光(Micron)旗下的20纳米制程产品大量导入终端应用的时间点,会递延至2016年第1季,象征4GbDDR4成为主流的时间点也会延后。然而美光旗下华亚科表示,目前20纳米制程转进速度一切都如预期,年底会有8万片的12吋晶圆转进20纳米制程,资本支出不会改变。   日前传出韩系存储器厂25纳米制程的产品未过PCOEM客户认证,导致部分货源流入现货市场,这也代表进入先进制程技术后,产品认证的严格度大幅攀升,未来20纳米制程世代的问题更严重,转进20纳米制程
  • 关键字: DRAM  DDR4  20纳米  

20纳米转换困难重重 4Gb DDR4主流之路恐延后

  •   DRAM厂转进20纳米制程困难重重,业界传出美光(Micron)旗下的20纳米制程产品大量导入终端应用的时间点,会递延至2016年第1季,象征4Gb DDR4成为主流的时间点也会延后。然而美光旗下华亚科表示,目前20纳米制程转进速度一切都如预期,年底会有8万片的12吋晶圆转进20纳米制程,资本支出不会改变。   日前传出韩系存储器厂25纳米制程的产品未过PC OEM客户认证,导致部分货源流入现货市场,这也代表进入先进制程技术后,产品认证的严格度大幅攀升,未来20纳米制程世代的问题更严重,转进20纳米
  • 关键字: DDR4  20纳米  

浅谈 DDR4 的技术变革与市场趋势

  •   动态随机存取记忆体(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常见的记忆体元件。在处理器相关运作中,DRAM 经常被用来当作资料与程式的主要暂存空间。相对于硬碟或是快闪记忆体(Flash Memory),DRAM 具有存取速度快、体积小、密度高等综合优点,因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中,例如电脑、手机、游戏机、影音播放器等等。        自 1970 年英代尔(Intel)发表最早的商用 DRAM 晶片-Intel 1103 开始,随着半导
  • 关键字: DRAM  DDR4  

威刚超频存储器创纪录

  •   记忆体品牌威刚科技宣布,威刚XPG Z1 DDR4 3333超频记忆体搭配华硕(ASUS)ROG系列Rampage V Extreme主机板,以液态氮(LN2)超频,直达4255MHz CL17,缔造了全新纪录。   威刚长期与各大主机板厂合作,努力追求DDR4搭配Intel最新X99平台的最高效能。秉持坚强的研发实力,全新闪耀金色版的威刚XPG Z1 DDR4 3333MHz此次轻松突破4GHz大关,还达到了4255MHz CL17的超高频率与时序,证明了威刚XPG Z1 DDR4 3333超频记
  • 关键字: 威刚  DDR4  

Altera演示FPGA中业界性能最好的DDR4存储器数据速率

  •   Altera公司今天宣布,在硅片中演示了DDR4存储器接口,其工作速率是业界最高的2,666 Mbps。Altera的Arria® 10 FPGA和SoC是目前业界唯一能够支持这一速率DDR4存储器的FPGA,存储器性能比前一代FPGA提高了43%,比竞争20 nm FPGA高出10%。硬件设计人员现在可以使用最新的Quartus® II软件v14.1,在Arria 10 FPGA和SoC设计中实现2,666 Mbps DDR4存储器数据速率。视频演示表明,鲁棒的存储器接口能够工作在2
  • 关键字: Altera  FPGA  DDR4  

锁定巨量数据应用 三星加快量产DDR4、TLC SSD

  •   三星电子(Samsung Electronics)为迎接巨量资料(Big Data)时代的来临,将以资料储存半导体事业一决胜负,目标拟以DDR4 DRAM和3D V-NAND为基础的固态硬碟(SSD)列为核心产品。   据韩国Inews 24报导,总括负责三星半导体事业部的DS部门将扩编人力,在集团底下成立巨量资料中心,并依照产品分析消费者的喜好程度等,强化事业力量。   DDR4 DRAM相较于DDR3,待机电流减少30%、耗电量减少35%,是能源使用效率高的产品。资料传输速度也较DDR3快2倍
  • 关键字: 三星  DDR4  SSD  

Intel绝妙创意:同时兼容DDR3/DDR4规格

  •   以往每次内存更新换代的时候,Intel总是同时提供支持,主板厂商也会推出一些同时有两种插槽的板子,给大家更多选择,但是这一次的Haswell-E,Intel狠心只支持DDR4(据说其实也支持DDR3但屏蔽了),实在有点激进。   不过,Intel其实还有一个鬼点子“UniDIMM”(Universal DIMM),可以让DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未来的LPDDR4共享一种接口规格,随便更换、升级。        Universal DIMM(U
  • 关键字: Intel  DDR3  DDR4  

澜起科技推出全球首颗第二代DDR4的寄存时钟驱动芯片

  •   澜起科技集团有限公司,专注于为家庭娱乐和云计算市场提供以芯片为基础的全方位解决方案的全球无晶圆厂供应商,27日宣布推出全球首颗第二代DDR4寄存时钟驱动器芯片(DDR4RCD02)。   DDR4RCD02 芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02规范,支持2667MHz及以上的时钟频率。该芯片在性能和速度较其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存时钟驱动芯片(DDR4RCD01)有显著改善。目前澜起科技已经将DDR4RCD02工程样片交给客户,供其开发支持第二代DDR4 RDI
  • 关键字: 澜起科技  DDR4  

DDR4市场容量将达十亿美金

  •   历经六年的开发时间,DDR4终于踏上征程,扬帆起航。   近日英特尔服务器处理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新运算架构的第三代产品Xeon E5-2600 v3,开始支持时钟频率达2133MHz的DDR4存储器,这表明在PC、服务器平台叱咤风云多年的DDR3进入世代交替的阶段。   其实英特尔的这个出乎意料的举动还满反常的,因为这异于其以往处理器支持新规格存储器的步调──通常先针对PC平台、再针对服务器平台。但目前英特尔仅在第三季才刚推出的高阶桌上型PC处理器当中(Co
  • 关键字: DDR4  处理器  

三星业内首先量产企业级服务器用DDR4内存

  •   全球存储领军品牌三星电子今日宣布,已开始正式量产业内首款基于3D TSV(through silicon via,硅通孔)封装技术的64GB DDR4 RDIMM内存。该款高密度高性能的内存模块不仅能推动企业级服务器和云计算环境下应用程序的不断发展,也会在数据中心解决方案的进一步多样化上起到关键性作用。   新推出的RDIMM内存由36个DDR4 DRAM芯片组成,而每片芯片又包含4颗4Gb的DDR4 DRAM裸片。这款低能耗的芯片采用了三星最尖端的20纳米级制程技术和3D TSV封装技术。
  • 关键字: 三星  DDR4  
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xpg spectrix d60g ddr4介绍

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