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DDR5时代来临,新挑战不可忽视

  • 在人工智能(AI)、机器学习(ML)和数据挖掘的狂潮中,我们对数据处理的渴求呈现出前所未有的指数级增长。面对这种前景,内存带宽成了数字时代的关键“动脉”。其中,以双倍数据传输速率和更高的带宽而闻名的 DDR(Double Data Rate)技术作为动态随机存取存储器(DRAM)的重要演进,极大地推动了计算机性能的提升。从 2000 年第一代 DDR 技术诞生,到 2020 年 DDR5,每一代 DDR 技术在带宽、性能和功耗等各个方面都实现了显著的进步。如今,无论是 PC、笔电还是人工智能,各行业正在加
  • 关键字: DDR5  Cadence  Sigrity X  

罗姆GaN器件带来颠覆性革命:体积减少99%,损耗降低55%

  • 引言如今,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为了实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率器件是提高其效率的关键,SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。周劲(罗姆半导体(上海)有限公司技术中心副总经理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中,GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件备受期待。ROHM 于2022 年将栅极耐压高达8 V 的150 V 耐压GaN HEMT 投入量产;2023 年3月,又确
  • 关键字: 202310  罗姆  GaN  

SuperGaN使氮化镓产品更高效

  • 1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化镓)功率半导体领域的全球领先企业,致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前处于开发阶段)氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利,氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司,这意味着在器件开发的每个关键阶段,我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺,直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
  • 关键字: 202310  SuperGaN  氮化镓  GaN  Transphorm  

SiC和GaN的应用优势与技术挑战

  • 1   SiC和GaN应用及优势我们对汽车、工业、数据中心和可再生能源等广泛市场中的碳化硅(SiC) 和氮化镓(GaN)应用感兴趣。一些具体的例子包括:●   电动汽车(EV):SiC和GaN 可用于电动汽车,以提高效率、续航里程和整车性能。例如,SiC MOSFET 分立器件可用于牵引逆变器和车载充电,以减少功率损耗并提高效率。●   数据中心:SiC 和GaN 可用于数据中心电源,以提高效率并降低运营成本。●   可再生能
  • 关键字: 202310  SiC  GaN  安世半导体  

SiC和GaN的技术应用挑战

  • 1 SiC和GaN的优势相比传统MOSFET和IGBT方案,SiC和GaN器件提供更高的功率密度,具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的应用上有一些重叠,但各自解决的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐压水平和电流承载能力。这使得它们很适合于汽车牵引逆变器、车载充电器和直流/ 直流转换器、大功率太阳能发电站和大型三相电网变流器等应用。SiC 进入市场的时间略长,因此它有更多的选择,例如,相比目前可用的GaN 解决方案,SiC 支持更广泛的电压和导通电阻。
  • 关键字: 202310  纳芯微  SiC  GaN  

东芝在SiC和GaN的技术产品创新

  • 1 SiC、GaN相比传统方案的优势虽然硅功率器件目前占据主导地位,但SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的热特性,适用于需要高效率和高输出的应用,而GaN 功率器件具有出色的射频频率特性,能满足要求高效率和小尺寸的千瓦级应用。最为重要的一点,SiC 的击穿场是硅的10 倍。由于这种性质,SiC 器件的块层厚度可以是硅器件的1/10。因此,使用SiC 可以制造出具有超低电阻和高击穿电压的开关器件。此外,SiC 的导热系数大约是硅的3 倍,因此它能提供更高的散热能力
  • 关键字: 202310  东芝  SiC  GaN  

ST在SiC和GaN的发展简况

  • ST( 意法半导体) 关注电动汽车、充电基础设施、可再生能源和工业应用,将最新一代STPOWER SiC MOSFET和二极管部署在这些应用领域。例如,ST 的第三代SiCMOSFET 取得业界最低的通态电阻,可以实现能效和功率密度更高的产品设计。ST 还提供GaN 功率器件,例如650 V GaN 增强型HEMT 开关管用于开发超快速充电和高频功率转换应用,功率损耗很小。与硅基芯片相比,SiC 和GaN 等宽带隙材料特性可让系统变得尺寸更小,重量更轻,开关和导通损耗更低,从而提高能效。Gianfranc
  • 关键字: 202310  意法半导体  SiC  GaN  

全球首个,华为重磅发布!事关5G

  • 据华为官方微信号10月11日消息,2023全球移动宽带论坛(Global MBB Forum 2022)期间,华为董事、ICT产品与解决方案总裁杨超斌重磅发布了全新一代5G室内数字化产品解决方案LampSite X系列,助力运营商打开商业新空间,加快迈向数智化新时代。杨超斌表示:“LampSite X将5G-A极致能力首次带入室内场景,实现室内数字化全面升级:以最小体积、最轻重量、最简部署、最低能耗实现万兆体验和多维能力升级,满足消费者更极致的室内体验需求,释放千行百业更强大的数字生产力。”华为无线网络产
  • 关键字: 华为  5G  LampSite X  

基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小体积之PD快充方案

  • 过往产品的充电装置多由各家厂牌使用各自的接口,导致装置汰换时将造成许多浪费。由于USB的普及,市面大部分的产品都透过此接口传输数据,进而促使人们欲提升USB供电能力的想法。过去即使透过USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A),则电子产品需要较长的时间来充电。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年发表第一版USB Power Delivery规范 (USB Power Delivery Specifi
  • 关键字: ST  意法半导体  GAN  第三代半导体  Power and energy  PD  协议  快充  

GaN晶体管尺寸和功率效率加倍

  • 无论是在太空还是在地面,这些基于 GaN 的晶体管都比硅具有新的优势。
  • 关键字: GaN  晶体管  

GaN Systems推出第四代氮化镓平台

  • 全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform),不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿,更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年发表的 3.2kW 人工智能(AI) 服务器电源供应器来看,改采用最新第四代平台,不仅效率超过钛金级能效标准,功率密度更从 100W/in3提升至&nbs
  • 关键字: GaN Systems  氮化镓  

X-FAB最新的无源器件集成技术拥有改变通信行业游戏规则的能力

  • 全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)近日宣布,新增集成无源器件(IPD)制造能力,进一步增强其在射频(RF)领域的广泛实力。公司在欧洲微波展(9月17至22日,柏林)举办前夕推出XIPD工艺;参加此次活动的人员可与X-FAB技术人员(位于438C展位)就这一创新进行交流。X-FAB XIPD晶圆上的电感器测试结构XIPD源自广受欢迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工艺——该技术利用工程基底和厚铜金属化层,让客户能够在其器
  • 关键字: X-FAB  无源器件  晶圆代工厂  

日本新技术将GaN材料成本降90%

  • 据日经中文网,日本最大的半导体晶圆企业信越化学工业和从事ATM及通信设备的OKI开发出了以低成本制造使用氮化镓(GaN)的功率半导体材料的技术。制造成本可以降至传统制法的十分之一以下。如果能够量产,用于快速充电器等用途广泛,有利于普及。功率半导体装入充电器、小型家电以及连接纯电动汽车(EV)马达与电池的控制装置,用于控制电力等。如果使用GaN,可以控制大量的电力。根据TrendForce集邦咨询研究报告显示,全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金,复合增长率
  • 关键字: 日本  GaN  材料  成本  

自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试

  • _____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资,特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告,到 2050 年,几乎所有道路运输都将实现电气化,预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的,包括比硅器件更快
  • 关键字: 宽禁带  SiC  GaN  双脉冲测试  

GaN 如何在基于图腾柱 PFC 的电源设计中实现高效率

  • 几乎所有现代工业系统都会用到 AC/DC 电源,它从交流电网中获取电能,并将其转化为调节良好的直流电压传输到电气设备。随着全球范围内功耗的增加,AC/DC 电源转换过程中的相关能源损耗成为电源设计人员整体能源成本计算的重要一环,对于电信和服务器等“耗电大户”领域的设计人员来说更是如此。氮化镓 (GaN) 可提高能效,减少 AC/DC 电源损耗,进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如,借助基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 (PFC),即使效率增益仅为 0.8%,也能在 10 年间帮助一个 100MW 数据
  • 关键字: ti  GaN  图腾柱  PFC  电源  
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