日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内
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Vishay MOSFET TrenchFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。
SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封装的尺寸为1mm x 0.6mm，最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度则薄了26%。
在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下，新器件的导通电阻分别
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Vishay MOSFET SiM400
日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增强型高电流密度PowerBridge整流器。整流器的额定电流高达30A~45A，最大峰值反向额定电压为600V~1000V，外壳绝缘强度高达1500V。该系列45A器件是业界首款采用PowerBridge封装的单列直插桥式整流器，产品尺寸为30mm x 20mm，厚度为3.8mm。
与市场上其他更大尺寸的桥式整流器相比，PowerBridge器件先进的导热结构使热量能更有效地散发出去。因此，PowerBrid
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Vishay 整流器 PowerBridge
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出用于线焊组装的新系列RF螺旋电感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列电感器 --- 具有低DCR、高Q值和宽感值范围，提供RF等效电路模型，使得设计者可以对器件性能进行高度精确的计算机仿真。
PSC电感器是针对需要线焊器件的RF电路而设计的，包括在通信系统及测试测量仪器中的阻抗调谐电路、集总元件滤波器和混合RF集成电路。
螺旋电感具有1nH~100nH的宽感
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Vishay RF 螺旋电感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK SC-70®封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，扩大了符合美军标MIL-PRF-55342认证的E/H薄膜贴片电阻的阻值范围，推出增强型E/H贴片电阻。该系列电阻采用紧凑的2208、2010和2512外形尺寸。增强后的器件使高可靠性应用能够用上更低阻值的电阻，在±25ppm/℃ TCR下的阻值为49.9Ω，容差为0.1%，10Ω电阻的容差为1.0%。
增强型E/H贴片电阻适用于对性能有严格要求的高可靠性军
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Vishay 贴片电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有业内1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb瞬态电压抑制器(TVS) --- SMPC系列。SMPC系列具有6.7V～42.4V的击穿电压和10.0V～58.1V的优异钳位能力。
今天发布的TVS器件采用eSMP TO-277A封装，比传统SMC封装的占位面积小27%。SMPC系列的峰值前向浪涌电流高达200A，工作温度为-55℃～+105℃。
TVS器件可用来保护通信和普通应用中的敏感设备，
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Vishay TVS 瞬态电压抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款经济、长寿命的面板电位计 --- P11L，该电位计具有四种模块和12.5mm的紧凑外形。
标准的低成本面板电位计的循环寿命只有50000次，而Vishay的P11L的寿命则长达2百万次循环。对设计者来说，P11L的长寿命可减少对替换零件的需求，提高可靠性和降低维护成本。
Vishay的这款多功能面板电位计针对焊接机、空调单元、加工机械、医疗系统、X光设备、卡车和拖车，以及军用和航天系统中的CMOS放大器增益、
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Vishay 电位计 P11L
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出高容值、高纹波电流，并可在+105℃高温下工作的径向铝电容器 --- 142 RHS系列。
142 RHS系列提供从5mm x 11mm至18mm x 40mm的15种外形尺寸，105℃的最高温度等级使器件能在更高的温度下工作，或是具有比标准的85℃系列更长的器件寿命。其他特性包括在105℃下高达3100A的额定纹波电流，在10V～450V电压范围内的容值为1μF～22,000μF。
做为一款采用非固态电解
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Vishay 电容
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于遥控系统的新款系列超小型SMD红外接收器。该系列器件是业界首个采用两个光敏二极管及专利技术内部金属EMI屏蔽的产品，超薄封装的厚度仅为2.35mm。TSOP75xxxW采用无镜片设计，实现了业界最佳的敏感度尺寸比，在在±75°宽的角度内，辐照度为0.3mW/m2～0.7mW/m2。
今天发布的器件中有三款是自动增益控制(AGC)版本。TSOP752xxW兼容于所有常用红外遥控数据格式。TSOP7
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Vishay SMD 红外接收器
日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装，提供透明环氧树脂封装和具有日光阻断滤波功能的版本。八款新器件针对烟雾探测、光栅中的探测器，以及各种消费类和工业应用中的数据传输进行了优化。
VBPW34FAS、VBPW34FASR、VBP104FAS和VBP104FASR光敏二极管具有与红外发射器相匹配的日光阻断滤波器，例如波长为870nm或950nm的Vishay TSFFxxxx
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Vishay 二极管
日前，Vishay宣布推出两款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸为1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今为止业界最小的芯片级功率MOSFET。
在种类繁多的便携式设备中，20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。器件的小尺寸和薄厚度有助于减少电源管理电路所占用的空间，以及/或是实现更多的功能。与市场上尺寸与之最接近的芯片级功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列钽外壳液钽电容器 --- 136D。对于高可靠性应用，136D器件可在-55℃～+85℃温度范围内工作，在电压降额的情况下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃条件下的ESR低至0.44Ω。
商用的136D电容器等同于军用型的CLR90和CLR91器件，军用型器件是按照军标MIL-PRF-39006/30和39006/31的性能要求设计的。另外，今天发布
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Vishay 电容器 电子元件
2009年4月23日—日前，VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出两款新型液钽电容器---M34和M35，新器件是业界首款采用真正可表面贴装的模压封装产品。
M34和M35液钽电解芯片电容器集中了所有电解电容器的优点，摒弃了大多数缺点。在相似的电容量和外壳尺寸的情况下，新器件可耐受比其他类型电解电容器更高的纹波电流。此外，M35系列在+85℃温度下可承受3V的反向电压。
新器件可以使目前使用Vish
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Vishay 钽电容器
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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