与任何电子设备一样，引爆系统需要内部电源为系统控制器 (MCU) 供电并为点火电容充电。为了确保正确定时、可靠引爆，需要使用电容器作引爆元件的储能器件。与其他电容技术相比，模塑钽 (MnO2) 电容器能够储存电荷（低漏电流)，能量密度高，是电子引爆系统的理想选择，可留出更多时间，释放更大电压确保正确起爆。对于开发和制造电子引爆系统以满足采矿应用需求的公司，本文将为大家介绍钽电容器技术的优势。对于现代引爆系统来说，模塑钽 (MnO2) 电容器具有两个主要优点。首先，与铝电解电容器不同，它们具有这些小型系统所
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Vishay 钽电容器
本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要权衡因素之一是开关损耗，开关损耗会被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成电路噪声。为了减少电路噪声，需要认真考虑栅极电阻的选择，从而不必延长死区时间而造成功率损耗。本文介绍选择栅极电阻时的考虑因素，如脉冲功率、脉冲时间和温度、稳定性、寄生电感等。同时，将和大家探讨不同类型的栅极电阻及其在该应用中的优缺点。宽带隙半导体器件的优势设计出色功效的电子应用时，需要考虑使用新型高性能氮化镓 (G
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Vishay 功率逆变器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK® 同步降压稳压器---SiC967、SiC931和SiC951，用来提高负载点（POL）转换器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封装，占位面积和高度均小于市场上此类器件，输入电压范围4.5 V至60 V。日前发布的稳压器模块比其他解决方案小69%，每款模块集成两个高性
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Vishay 降压稳压器 POL转换器
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款适用于遥控系统的新系列微型红外（IR）传感器模块---双透镜TSMP95000和单透镜TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 双透镜TSMP95000和单透镜TSMP96000及TSMP98000具有调制载波输出功能，适用于代码学习应用，供电电压范围2.0 V至5.5 V，3.3 V下典型功耗低至0.35 mA。日前发布的器件配置内部设计的新型IC，旨在确保长期供货并缩短交货期，
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Vishay 调制载波 红外传感器模块
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 供应多款Vishay针对汽车应用设计的产品。Vishay制定了自己的汽车级标准，目标是尽可能杜绝缺陷、事故和故障。该标准纳入了汽车行业的关键质量管理措施和健全的设计政策，在开发新品和改良现有产品时采用了失效模式和影响分析 (FMEA) 方法。Vishay汽车级标准的要求涵盖了设计、认证和制造，同时也用于持续改善公司的产品和工艺。只有满足这些要求的元件，才能在数据手册中使用汽车级认证标志。
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贸泽 Vishay 汽车级产品
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内先进的标准整流器与瞬变电压抑制器（TVS）二合一器件---R3T2FPHM3，为汽车应用提供新型表面贴装解决方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片结设计和共阴极电路配置，将3 A，600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS组合在小型FlatPAK 5 x 6封装中。日前发布的器件工作温度 -55 °C 至 +17
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Vishay 标准整流器 TVS
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年8月9日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于工业、计算机、消费和移动应用领域的新型反射式光传感器--- VCNT2030。与上一代解决方案相比，Vishay Semiconductors的VCNT2030更加节省空间，同时拥有更高的电流传输比（CTR）、更远的传感距离和更低的功耗，从而提高了性能。该产品配置了垂直腔表面发射激光器（VCSEL）和硅光电晶体管，采用1
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Vishay VCSEL 反射式光传感器
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年7月6日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款新系列60 V、100 V和150 V表面贴装沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS®）整流器---VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153额定电流7 A，达到业界先进水
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Vishay 整流器
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年6月21日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt® 超快恢复整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，这些器件采用薄型易于吸附焊锡的侧边焊盘DFN3820A封装。这四款新器件为商业、工业和车载应用提供节省空间的高效解决方案，每种产品都有V
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Vishay 整流器
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年6月7日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款业内先进的新型汽车级光伏MOSFET驱动器---VOMDA1271，该驱动器采用节省空间的SOP-4封装，集成关断电路。Vishay Semiconductors VOMDA1271专门用来提高汽车应用性能，同时提高设计灵活性并降低成本，开关速度和开路输出电压均达到业内先进水平。 日前发布的光耦集成关断电路，典型关断时间
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Vishay SOP-4 集成关断电路 光伏MOSFET驱动器
器件通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上，具有高脉冲处理能力，功率耗散达120 W 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出一款通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脉冲处理能力，在85 °C底壳温度下，功率耗散达12
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Vishay 厚膜功率电阻器 NTC热敏电阻 PC-TIM
器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，正向压降、电容电荷和反向漏电流低，有助于提升开关电源设计
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Vishay SiC肖特基二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出加强版0805封装抗浪涌厚膜电阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，额定功率高达0.5 W。由于提高了额定功率，RCS0805 e3现在可替代四个标准0805封装并联电阻；两个1206封装并联电阻；或者一个1210封装电阻。因此，设计师可在节省汽车、工业、通信和医疗应用电路板空间的同时，减少元器件数量并降低加工成本。此外，电阻脉冲负载性能和ESD浪涌特性优于标准片式电阻，适用于高能和重复浪涌脉冲下的各种应用。RCS
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Vishay 抗浪涌 厚膜电阻器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列小型2512封装汽车级厚膜片式电阻---CDMA系列，工作电压达1415 V。Vishay Techno CDMA系列电阻可减少系统元件数量，降低汽车和工业应用加工成本，同时减小PCB尺寸，提高精度和稳定性。日前发布的片式电阻分压器在单体封装中集成两个电阻，爬电距离5mm，一个器件可替代分压应用中使用的多个分立电阻。这款节省空间型器件通过AEC-Q200认证，特别适合用于电动汽车（EV）和工业设备大功率DC/DC转换器和逆变器、
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Vishay 厚膜片式电阻
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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