IT之家 9 月 6 日消息，Milk-V 近日推出了名为 Meles 的单板计算机（SBC），其外观接近于树莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和树莓派 Model B 类似，只是并没有使用基于 ARM 的处理器，而是使用基于 RISC-V 架构的 2GHz 平头哥曳影 T-Head TH1520 四核处理器。IT之家在此附上 Meles 单板计算机端口如下：1 个 HDMI 2.0 端口1 个千兆端口4 个 USB 3.0 主机端口1 个 USB 2.0 Type-C 端口1 个
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RISC-V
这是最好的一届RISC-V中国峰会，虽已落幕一周，但它流传的故事依旧激昂人心，它引发的话题仍未褪色，它带来的启发依旧值得我们细细品味。 后摩尔时代，芯片制造工艺遭遇瓶颈，在产业从技术到商业不断循环的“Tick-Tock”式迭代规律下，RISC-V开源指令集横空出世，开辟了芯片商业模式更迭的崭新篇章。如今，万物互联已成必然，计算场景复杂多变，RISC-V设计的初衷便是覆盖各种计算场景，这与时代需求完美契合。无论从商业还是技术角度， RISC-V进入高性能应用场景已成必然。 在2
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RISC-V 赛昉科技
9月6日消息，特斯拉最近推出了其广受欢迎的Model 3焕新版，特斯拉拥趸者们对这款电动轿车的新外观和更长续航里程赞叹不已。然而，也有许多人不喜欢特斯拉把转向灯移到方向盘按钮上的设计，并称“这是一个破坏性的行为”。。特斯拉不久前发布了人们期待已久的新款Model 3轿车，推出了一系列令粉丝们感到兴奋不已的升级。设计上，Model 3焕新版配备了全新设计的前后大灯，新增多色氛围灯、全新内饰材质。性能上，Model 3长续航全轮驱动焕新版拥有713公里（CLTC预估值）最高续航；全新调校的悬架系统，配合全新一
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特斯拉 Model 3
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程，涵盖需要高压输入到低压输出的各
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Vishay 650 V 功率MOSFET
据赛昉科技官微消息，8月31日，中国电子工业标准化技术协会RISC-V工作委员会正式成立。RISC-V工委会是从事RISC-V
产业领域相关单位及组织等自愿组成的全国性、行业性、非营利性社会团体，是中国电子工业标准化技术协会（简称“中电标协”）所属分支机构。消息显示，RISC-V 工委会的宗旨为发挥在产业组织、行业自律方面的作用，为RISC-V
产业领域的标准研制、标准符合性评估、知识产权保护、人才培养、产业研究等方面支撑服务，引导国内RISC-V
产业从无序竞争走向协同创新，形成产业合力，实
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RISC-V 工委会
IT之家 8 月 31 日消息，据赛昉科技消息，8 月 31 日，中国北京 —— 中国电子工业标准化技术协会 RISC-V 工作委员会正式成立，赛昉科技当选副会长单位。中国电子工业标准化技术协会 RISC-V 工作委员会，简称：RISC-V 工委会，英文名称为 RISC-V Ecosystem & Industry of China Electronics Standardization Association，缩写：RVEI，是从事 RISC-V 产业领域相关单位及组织等自愿
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RISC-V
近日，三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存，据爆料，这款闪存将采用双层堆栈架构，并超过 300 层。同样在 8 月，SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存，并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份，据欧洲电子新闻网报道，西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知，固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还
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V-NAND 闪存 3D NAND
开源的 RISC-V 已成为中国业界最受欢迎的芯片架构。
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RISC-V
在嵌入式软件开发中，利用完整的应用跟踪，可为开发人员分析其产品行为提供无限的可能性。通过对应用程序的全面了解，他们可以跟踪每一条指令，看看他们的应用程序是否按照预期运行，或者是否出现错误或漏洞。那么，如何才能最大化地利用现有可用的RISC-V跟踪呢？什么是跟踪？与传统的通过设置断点、printf等进行调试相比，跟踪更像是在不打扰的情况下观察你的应用程序。基本上，开发人员可以在不干扰程序的情况下观察整个程序的工作情况。跟踪包括完整的指令执行流程（不需要printf也不需要UART），一旦跟踪数据被捕获，你可
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IAR RISC-V 跟踪技术
近日，OpenAI宣布与Scale AI展开深度合作，旨在企业环境中增强GPT-3.5 Turbo和GPT-4大语言模型。OpenAI表示，通过这次深度合作，可以帮助企业定制OpenAI的大语言模型，以满足企业的个性化需求。 OpenAI在声明中再次强调，所有通过微调API发送的数据均为客户财产，不会被OpenAI或任何其他实体用于训练其他模型。此外，由于Scale AI在数据标签和AI解决方案方面具有独特优势，OpenAI将其列为“首选合作伙伴”。 据了解，OpenAI已经为GPT-3.5 Turbo推
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OpenAI Scale AI GPT-3.5 GPT-4
近一年来，国际半导体大厂「抱团取暖」的现象频频出现，而这在过去多年内是很少见的。由于全球领先的半导体企业大都聚集在美国，欧洲，日本，以及中国台湾地区，因此，这一波大厂抱团依然逃不出这几个地区，有 3 个最具代表性。按时间顺序，首先抱团形成的是 Rapidus，它是由日本政府领衔，联合丰田汽车、索尼、NEC、铠侠、软银等 8 家日本企业，于 2022 年 8 月合作成立的，被视为日本重返半导体先进制程市场的重要投资案。Rapidus 与 IBM 深度合作，获得了后者 2nm 制程技术授权，预计将投入 5 兆
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RISC-V
8 月 21 日消息，特斯拉正在开发新款 Model 3 汽车已经不是什么秘密，多方消息表明该车型将于今年下半年上市。据 @teslashanghai 的最新消息，特斯拉新款 Model 3 已经结束“试生产阶段”，生产提升和压力测试将于 8 月 25 日开始。到 9 月初，预计日产能将达到 1200 台左右。该博主称，“新款 Model 3 的外观非常吸引人，甚至比 Model S 还要漂亮，尤其是新款的大灯”。此外，该博主还透露，新款 Model 3 搭载了 HW3.5 的硬件而不是 HW
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特斯拉 Model 3 雷达
在高通首席执行官（CEO）克里斯蒂亚诺·阿蒙（Cristiano Amon）的领导下，高通将与恩智浦、北欧半导体公司（Nordic Semiconductor）、英飞凌以及博世联合成立一家新公司，旨在推广用于芯片设计的开源RISC-V架构，通过开发下一代硬件来推动RISC-V生态系统的扩展。据了解，新公司将设在德国，同时考虑到恩智浦和英飞凌将参与投资，该公司应该是先专注于汽车芯片领域，最终扩展到移动和物联网领域。恩智浦执行副总裁兼首席技术官Lars Reger表示，该合资公司将努力“开创完全认证的基于RI
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RISC-V 半导体 架构 芯片 开源 恩智浦 英飞凌 高通 ARM
IT之家 8 月 17 日消息，赛昉科技今日发布了两款自主研发的 RISC-V 处理器内核新产品：昉・天枢-90（Dubhe-90）与昉・天枢-80（Dubhe-80）。据介绍，Dubhe-90 主打“极致性能”，是 Dubhe Max Performance 系列旗舰产品；Dubhe-80 主打“高能效比”，是 Dubhe Efficiency Performance 系列首款产品。两款产品也就是大家常说的 CPU 大小核。与此同时，基于 Dubhe-90、Dubhe-80 以及赛昉科技片上一
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RISC-V 赛昉科技
IT之家 8 月 16 日消息，据韩国电子时报报道，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。业内人士透露，三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产，该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND，其中的设备将停产至少一个月。外媒表示，鉴于市场持续低迷，业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右，而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财报中也正式
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三星电子 V-NAND
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