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v-nand 文章 进入v-nand技术社区

纳米器件电流-电压(I-V)特性测试

  • 对于纳米电子和半导体材料与薄膜,采用灵敏的电气测量工具是十分必要的。它们提供的数据能够帮助我们完全掌握新材料的电气特性和新器件与元件的电气性能。纳米测量仪器的灵敏度必须要高得多,因为需要测量的电流和电
  • 关键字: I-V  纳米器件  电流  电压    

Gartner认为SSD将在明年成为市场主流

  •   数年来固态硬盘正在变得越来越便宜和可靠,但相比大容量的硬盘而言,这种产品在容量和价格比上依然显得有些奢侈,例如40GB的Intel SSD相当于1TB的西部数据硬盘的价格。尽管如此,Gartner依然对SSD市场的前景十分看好,并认为到2012年下半年,固态硬盘将成为市场的主流,并预期到时候的价格将会下降到每1美元1GB,这意味着主流的SSD价格将下调到100美元以下,例如64GB64美元,从而开始被大众接受。
  • 关键字: NAND  SSD  

NAND FLASH在储存测试系统中的应用

  • 0 引言  计算机技术的高速发展,存储系统容量从过去的几KB存储空间,到现在的T8;乃至不久的将来要达到的PB存储空间,其数据存取的能力在飞速扩展。随之而来产生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和数据生命周期管
  • 关键字: FLASH  NAND  储存  测试系统    

三星量产新型NAND闪存芯片

  •   5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。   
  • 关键字: 三星  NAND  

NAND Flash大厂积极制程转换

  •   2011年全球NAND Flash中,全球三星电子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市场龙头,市占率高达36.2%,紧追在后的是东芝(Toshiba),市占率达35.1%,两者合计掌握70%以上NAND Flash市场;根据市调机构TrendForce最新统计,2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%,营收成长9.9%,达53.63亿美元。   2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多,最大影响当属日本311东北强震,对
  • 关键字: 三星电子  NAND  

三星与海力士提升NAND Flash芯片产量

  •   据了解,由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。   
  • 关键字: 三星  NAND Flash  

三星、海力士扩大NAND Flash投资

  •   由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增,三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年双双提升NAND Flash芯片产量。   
  • 关键字: 三星  NAND  移动设备  

利用单片机控制的数字气压计开发与实现

  • 摘要:介绍了一种精密数字气压计的软硬件实现方法。该方法通过气压传感器获得与大气压相对应的模拟电压值,并经 ...
  • 关键字: 气压计  气压传感器  V/F转换器  单片机  

美光:未来NAND Flash不求市占率但求低成本

  •   由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长,加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%,美光(Micron)看好NANDFlash产业将持续供不应求,除与英特尔(Intel)合资新加坡厂取得多数股权和产能,未来不排除再扩大NAND Flash产能,可行方案包括释出代工权给华亚科生产,或是启动新加坡二厂。美光指出,未来NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低。   
  • 关键字: 美光  NAND  

微机械陀螺的闭环驱动电路的设计与实现

  • 以北京微电子技术研究所自主研发的803微机械陀螺为研究对象,对陀螺的闭环驱动电路进行了分析和设计。闭环驱动电路实现方式主要有自激和锁相环驱动两种方式,对关键的C-V转换电路和AGC电路进行了设计实现。为以后微机械陀螺的驱动电路的研究设计提供依据。
  • 关键字: 微机械陀螺  闭环  驱动电路  C-V  AGC  201104  

4月上旬闪存芯片价格创7个月新高

  •   据韩国媒体报道,内存调研公司集邦科技发布最新研究数据,今年四月上旬NAND闪存芯片价格创下了7个月以来的新高水平,一定程度上反映了继上月日本地震海啸灾害中断相关供应链后芯片价格的总体情况。  
  • 关键字: 闪存  NAND  

东芝将量产19nm工艺64Gbit NAND

  •   东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货,2011年第三季度(2011年7~9月)开始量产。此次开发的64Gbit NAND芯片是2bit/单元产品,还计划推出3bit/单元产品和1bit/单元产品。不过,这些产品的上市时间目前“尚未确定”(东芝)。  
  • 关键字: 东芝  NAND  

NAND Flash嵌入式存储系统结构分析

  • NAND Flash嵌入式存储系统结构分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作为存储芯片,设计了一种在NFTL上实现坏块管理并且实现连续数据读取的方法。
  • 关键字: 结构  分析  系统  存储  Flash  嵌入式  NAND  

东芝Sandisk搭档组推出19nm制程NAND闪存芯片

  •   上周,Intel和镁光发表联合声明,正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品,并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名板凳还没有坐热,本周Sandisk和东芝组成的搭档组合便重新夺回了NAND闪存制程技术的宝座,他们宣称已经制造出了采用19nm制程技术的NAND闪存芯片,目前这两家公司在日本设有一家合资芯片制造公司。 
  • 关键字: 东芝  NAND  

NAND闪存芯片价格创7个月来新高

  •   据国外媒体报道,据台湾集邦科技 (dramexchange technology inc)周一发表的行业数据显示,NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的新高,反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。   
  • 关键字: NAND  闪存芯片  
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