- 据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示，由于供应商严格控制产出，NAND
Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且服务器领域对Enterprise
SSD需求回温，否则在缺乏需求作为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面，由于原厂及模组厂均积极涨价，促使PC
OEM欲在价格相对低点预备库存，采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量，已在第三季推出促销，故Client
SSD价格没有
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NAND Flash TrendForce
- RISC-V 运算的先驱和领导厂商SiFive, Inc.近日宣布推出两款新产品，旨在满足高性能运算的最新需求。SiFive Performance™ P870 和 SiFive Intelligence™ X390 提供最新水准的低功耗、运算密度和矢量运算能力，三者结合起来将为日益增长的资料密集型运算提供必要的性能提升。这些新产品共同创建了标量和矢量运算的强大组合，可满足现今数据流和运算密集型人工智能应用于消费性、车用和基础设施市场的需求。在圣克拉拉举行的现场新闻和分析师活动上，SiFive 同时也宣布
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SiFive 生成式AI RISC-V
- IT之家 10 月 12 日消息，近日，业界首款基于 RISC-V 架构的 Cat.1 模组 ML305M 在 2023 中国移动全球合作伙伴大会上首次亮相。据介绍，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 开发。CM8610 是国内首颗基于 64 位 RISC-V 内核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工艺，具有高集成度以及外围极简 BOM 设计，edrx 待机电流达到 0.74mA，最小接收灵敏度达到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物联 OneMO 表示，M
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RISC-V 中国移动 LTE
- 10月9日，韩国总统办公室通报，美国目前已做出决定 —— 在无需单独批准的情况下，三星和SK海力士可以向中国工厂提供半导体设备，该决定一经通报即生效。据悉，无限期豁免将通过更新Validated End-User（VEU）清单来取得。若被纳入该清单，便无需额外获得许可，代表美国出口管制的适用性实际上是被无限期暂停。三星在一份声明中表示，“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半导体生产线运营有关的不确定性已大大消除。”SK海力士则表示，“我们欢迎美国政府决定延长对出口管制规定的豁免。我们相信，这一决定将
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半导体设备
- 受需求放缓、供应增加、价格竞争加剧等因素影响，存储芯片的价格在 2022 年最后两个季度均出现暴跌。根据 TrendForce 的最新数据显示，DRAM 的平均价格继 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅扩大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均价跌幅收敛至 13%～18%，Q2 DRAM 价格跌幅收窄至 10% 到 15%。与 DRAM 市况相似，NAND 闪存的市场需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 价格跌幅均超过 20%，今年 Q1 NAN
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NAND SSD DRAM
- 在中美科技战的新战线上，拜登政府正面临一些立法者的施压，要求限制美国公司开发在中国广泛使用的免费芯片技术，此举可能会颠覆全球科技行业的跨境合作方式。 争论的焦点是RISC-V，发音为“风险五”，这是一种开源技术，与英国半导体和软件设计公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂贵专有技术竞争。RISC-V可以用作从智能手机芯片到人工智能高级处理器的任何产品的关键成分。 一些议员——包括两位共和党众议院委员会主席、共和党参议员马尔科·卢比奥和民主党参议员马克·华纳——以国家安全为由，
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RISC-V 芯片法案
- 尽管由于经济逆风、高通货膨胀影响，存储产业身处下行周期，但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。对DRAM芯片而言，先进制程意味着高能效与高容量，以及更好的终端使用体验。当前，DRAM先进制程工艺——10nm级别目前来到了第五代，美光称之为1β DRAM，三星称之为1b DRAM。美光去年10月开始量产1β DRAM之后，计划于2025年量产1γ
DRAM，这将是美光第1代采用极紫外光（EUV）的制程技术，目前在美光只在台中有EUV的制造工厂，因此1γ制程势必会先在台中厂量产，未来日本厂也有望导入EUV
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DRAM NAND 存储
- 10 月 6 日消息，据韩媒 Business Korea 报道，三星内部认为目前 NAND Flash 供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨 NAND Flash 产品的合约价格，涨幅在 10% 以上，预计最快本月新合约便将采用新价格。▲ 图源韩媒 Business Korea自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，IT之家此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动
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三星 NAND flash 涨价
- 中美科技竞争又有新动向。美国政府正面临国会压力，要求限制美国企业投入RISC-V的开源芯片技术发展，目前RISC-V的开源性使得这项技术在中国大陆获得广泛的应用以及发展，但如果禁止的话，可能对全球科技业的跨国合作造成冲击。据《路透社》6日报导， 这一次的争议焦点主要集中在RISC-V上，这是一种开放原始码架构，与英国的安谋国际科技公司（Arm Holdings）的竞争激烈。RISC-V可应用于智能手机芯片到先进人工智能处理器等各种产品。一些国会议员以国家安全为由，敦促拜登政府针对RISC-V问题采取行动，
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RISC-V 开源芯片
- 面对美国的护栏最终规则，韩国半导体公司被建议改变中国市场战略据韩国新闻媒体报道，随着拜登政府最终确定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）资金分配和限制的国家安全护栏，韩国半导体公司可能不得不改变他们在中国的业务，并利用其在那里的成熟节点能力来针对国内需求的产品。关于最终规则对三星和SK海力士的影响，人们有不同的意见。但有一点是肯定的：希望获得CHIPS法案资助的公司在美国扩大产能的公司将不得不接受拜登政府设定的条件，并在未来10年内避免在中国进行实质性产能扩张。商务部的新闻稿显示，补贴接受者在
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CHIPS法案 韩国半导体 DRAM NAND
- IT之家 9 月 27 日消息，存储制造商在经历了有史以来最长的下降周期之后，终于看到了 DRAM 市场复苏的希望。根据集邦咨询报道，伴随着主要存储制造商的持续减产，已经市场去库存效果显现，预估 NAND Flash 价格回暖之后，DRAM 价格也会上涨。NAND 闪存供应商为减少亏损，2023 年以来已经进行了多次减产，目前相关效果已经显现，消息称 8 月 NAND Flash 芯片合约价格出现反弹，9 月继续上涨。行业巨头三星继续减产，主要集中在 128 层以下产品中，在 9 月产量下降了
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存储 DRAM NAND Flash
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，第二季NAND
Flash市场需求仍低迷，供过于求态势延续，使NAND
Flash第二季平均销售单价（ASP）续跌10~15%，而位元出货量在第一季低基期下环比增长达19.9%，合计第二季NAND
Flash产业营收环比增长7.4%，营收约93.38亿美元。自第二季起，三星（Samsung）加入减产行列，且预期第三季将扩大减产幅度，供给收敛的同时也在酝酿涨价，供过于求态势有望因此获得改善。不过，由于NAND
Flash产业供应商家数多，在库存仍高的情
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NAND Flash TrendForce
- 随着PD3.1协议的市场应用越来越多，市场对PD3.1协议控制器也提出了更多的要求，如何更好地确保协议的稳定性的同时增加更多系统级功能，这对传统PD协议控制器提出了更大的挑战。广芯微电子宣布开源基于RISC-V内核的PD控制器，以支持客户更好地部署快充系统和差异化功能。芯片框图UM3506 SoC 芯片创新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微处理器内核作为通用的集中式 TCPM 管理器。优化后的 RISC-V 内核配合片上 FLASH 闪存/SRAM 存储器、增强的外设和广泛的系统资源，在
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RISC-V 快充协议
- 近日，三星（Samsung）为应对需求持续减弱，宣布9月起扩大减产幅度至50%，减产仍集中在128层以下制程为主，据TrendForce集邦咨询调查，其他供应商预计也将跟进扩大第四季减产幅度，目的加速库存去化速度，预估第四季NAND
Flash均价有望因此持平或小幅上涨，涨幅预估约0~5%。价格方面，如同年初TrendForce集邦咨询预测，NAND Flash价格反弹会早于DRAM，由于NAND
Flash供应商亏损持续扩大，销售价格皆已接近生产成本，供应商为了维持营运而选择扩大减产，以期带动价
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NAND Flash Wafer TrendForce
- 9月6日，软银旗下芯片设计公司Arm提交给美国证券交易委员会（SEC）的首次公开募股（IPO）文件显示，苹果已与Arm就芯片技术授权达成了一项“延续至2040年以后”的新合作协议。目前，Arm拒绝就其提交文件以外的内容发表评论，苹果也没有立即回复置评请求。Arm IPO吸引各路巨头Arm在科技行业扮演着不可或缺的角色，它将其芯片设计授权给包括苹果在内的500多家公司，已经占据了智能手机芯片领域95%以上的市场份额，包括平板电脑等，实际上已经完全控制了整个移动芯片领域。从Apple Watch到iPhone
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