奈梅亨，2023年11月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块，适用于3 kW至11 kW功率堆栈设计的高频电源应用，以满足工业电源、EV充电站和板载充电器等应用的需要。此次发布将进一步加深双方长期以来保持的紧密合作关系。 制造商对下一代功率应用的关键需求是节省空间和减轻
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Nexperia KYOCERA 功率应用 650 V 碳化硅 整流二极管
存储是电子系统必不可少的功能单元，特别是伴随着数据价值的不断提升，高性能大容量存储的价值逐渐与计算能力并驾齐驱。特别是随着数据安全变得越来越重要，存储单元的数据安全成为众多云服务厂商无法回避的话题，存储单元的主控芯片就是提升存储安全性最关键的半导体器件。 在半导体细分领域中，存储单元主控芯片是国产化率相比比较高的产品类别，从USB Flash存储到传统的磁盘主控，甚至最新的SSD主控，国内厂商逐渐成为市场应用的主流，并且成功迫使曾经的存储主控芯片巨头Marvel从中国市场仓皇而逃。随着大规模云计算和人工智
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SSD 主控芯片 平头哥 RISC-V 镇岳510
北京中科吴芯是一家基于RISC-V指令集架构，对标国外芯片的数字信号处理器专业供应商。作为中国科学院科技成果转化企业，成立于2019年，经历4年多的时间已经拥有10个系列，30多款芯片产品。产品具有广阔的市场前景，可广泛应用于工业控制及电机驱动、数字电源、光伏、储能、新能源汽车、消费电子、白色家电等领域。中科昊芯副总经理兼创始人表示：“慕尼黑电子展对于中科昊芯来说是比较重要的展会，这次也是带来了两款重磅产品——HXS320F280039C和HXS320F28379D。”RISC-V指令集架构作为一种开源指
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中科昊芯 数字信号处理器 RISC-V DSP
在本次展会上，东芯半导体也来到了EEPW的直播间。东芯半导体股份有限公司成立于2014年，作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。2022年EEPW曾有幸采访过东芯半导体副总经理陈总，这次在2023年慕尼黑华南电子展上，陈总向我们介绍了东芯半导体这次在展会上带来了全线的产品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前东芯在NAND
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东芯半导体 NAND NOR DRAM 存储
如今，利用新的方法来创造差异化的产品是当今技术创新者们所追求的目标。当半导体扩展规律已经显示出极限时，我们该如何满足对更高计算性能的需求？办法只有一个：为特定需求定制计算。具体来说满足定制计算需要具备架构优化、应用剖析、硬件/软件协同优化，以及建立在强大设计基础上的领域专用加速等要素。这些要素加上尽可能简洁的设计流程以提高效率，并缩短上市时间，同时可以让客户掌握自主权并保持灵活性。用于定制计算的下一代RISC-V处理器 - Codasip全新700系列Codasip的全新700系列是一个可配置且可定制的R
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Codasip 定制计算 RISC-V
韩国芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在经历了又一个利润率和收入下降的季度后，表现得很勇敢，强调了需求的逐步恢复，以及在今年早些时候削减资本支出后，计划在 2024 年增加资本支出。在第三季度财报电话会议上，首席财务官 Kim Woohyun 指出，对高性能存储芯片的需求不断增长，降低了销售额的下降率。然而旗舰智能手机的发布和人工智能服务器部署的激增推动了芯片需求。"我们相信，内存行业终于度过了严重的低迷期，正在进入全面复苏阶段"。Kim指出，该公司的目标是通过考虑投资效率和
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SK海力士 韩国 NAND
据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND
Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile
DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
IT之家 10 月 25 日消息，RISC-V 生态系统中的关键公司之一 SiFive，正在经历一场重大的重组，这场重组主要是大规模裁员和业务重心转移，这一举动给 SiFive 的未来以及其对 RISC-V 的贡献带来了不确定性。IT之家注意到，RISC-V 已经成为制造微型低成本核心的热门选择，但也有一些公司研发高性能的基于 RISC-V 的产品，SiFive 就是这样一家公司，该公司提供现成的设计，也根据客户的需求制作定制核心。但今天 SiFive 发布声明称，正在裁减约 20% 的员工（约
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RISC-V SiFive
IT之家 10 月 24 日消息，Milk-V Oasis 是一款即将上市的迷你 ITX 主板，搭载 Sophgo SG2380 RISC-V 处理器。该处理器集成了 16 核的 SiFive P670 CPU 以及 SiFive X280 神经处理单元，AI 性能最高 20 TOPS（每秒万亿次运算）。这款 Oasis 主板来自深圳市群芯闪耀科技有限公司，表示将以实惠的价格提供“真正的桌面级 RISC-V PC”体验，官方计划 2024 年第 3 季度交付。Oasis 主板尺寸为 170 x
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RISC-V CPU
最近，铠侠和西部数据的合并已经传来消息，或将于本月达成合并协议。当初，业内听到这两大存储企业的合并是非常惊讶的，毕竟铠侠在 NAND 领域世界排名第二、西部数据排在第四，这两大巨头的合并可以震动存储市场。具体来看一下，目前两家企业的合并方式。西部数据这边将拆分 NAND Flash 闪存部门，与铠侠合并。在合并后成立新的控股公司，在交换新公司所需数量的股份后，西部数据将保留 50.1% 的资产，其余 49.9% 将归铠侠所有。新的公司在美国注册，但总部设置在日本，并且股票将在美国和东京证劵交易所上市，采用
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NAND
近日，据媒体报道，三星电子存储业务主管李政培称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前，存储产业处于缓速复苏阶段，大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看，NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关：SK海力士已至321层，美光232层，三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层）。据悉，三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层）
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三星 第九代 V-NAND 闪存
三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。据外媒，三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。报道中称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。此前消息称，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其他许可。据了解，目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。
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三星 NAND 西安
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice (股票代码 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V内核的GD32VW553系列双模无线微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2无线连接，以先进的射频集成、强化的安全机制、大容量存储资源以及丰富的通用接口，结合成熟的工艺平台及优化的成本控制，为需要高效无线传输的市场应用持续提供解决方案。全新产品组合提供了8个型号、QFN40/QFN32两种小型封装选项，现已开放样片和开发板卡申请，并将于12
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兆易创新 RISC-V GD32VW553 双模 无线 微控制器
据悉，三星电子经营高层日前做出决定，将升级位于中国西安的 NAND 闪存工厂，为完成工厂制程升级已下单采购最新半导体设备，或将于今年年底开始引进新设备。西安工厂是目前三星电子位于海外的唯一内存芯片生产基地，2014 年开始投产，经 2020 年扩建二期项目后，目前每月生产 20 万张 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 闪存生产基地，占三星电子 NAND 芯片总产量的 40% 以上。三星电子计划明年在西安工厂内部署生产 236 层（第 8 代）NAND 芯片的设备，并依次完成工艺转换。2022 年 1
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三星电子 NAND
据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示，由于供应商严格控制产出，NAND
Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且服务器领域对Enterprise
SSD需求回温，否则在缺乏需求作为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。Client SSD方面，由于原厂及模组厂均积极涨价，促使PC
OEM欲在价格相对低点预备库存，采购量会较实际需求量高。而供应商为扩大位元出货量，已在第三季推出促销，故Client
SSD价格没有
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