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sram 文章

Zeno开发特殊SRAM 可提升MOS结构效能

  •   Zeno Semiconductor日前开发出将最小静态随机存取存储器(SRAM)纳入单一MOS电晶体技术,不仅其采用记忆单元(bit-cell)数量变多,存取时间也可大幅缩短4成。  据EE Times网站报导,Zeno在国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting)上展示这项新技术。Zeno执行董事长Zvi Or-Bach表示,该技术之所以让N型MOS电晶体做为稳定SRAM,主要是透过采
  • 关键字: Zeno  SRAM   

10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC

  •   一年一度的“国际固态电路会议”(ISSCC)将在明年2月举行,几乎所有重要的晶片研发成果都将首度在此公开发布,让业界得以一窥即将面世的最新技术及其发展趋势。三星(Samsung)将在ISSCC 2016发表最新的10nm制程技术、联发科(MediaTek)将展示采用三丛集(Tri-Cluster)架构搭载十核心的创新行动SoC。此外,指纹辨识、视觉处理器与3D晶片堆叠以及更高密度记忆体等技术也将在此展示最新开发成果。        三星将提供更多DRAM与快
  • 关键字: SRAM  ISSCC  

三星成功开发10纳米FinFET SRAM 10纳米逻辑制程量产更近一步

  •   在英特尔(Intel)、台积电的SRAM仍停留在14纳米、16纳米制程时,三星电子(Samsung Electronics)已抢先研发出10纳米FinFET制程SRAM,这也意味着距离10纳米逻辑芯片量产更近一步。  速度较DRAM快的SRAM,可运用为中央处理器(CPU)缓存存储器。完成研发10纳米SRAM,也意味着三星在同制程系统芯片生产准备作业正顺利进行。照此趋势,2017年初将可正式量产采10纳米制程的移动应用处理器(AP)。10纳米AP将与GB级数据机芯片整合,移动装置速度将更快。  据南韩
  • 关键字: 三星  SRAM   

串行和并行接口SRAM对比

  •   外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求,选择并行接口并不令人惊讶。对于已经(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是缓存)应用而言,与串行接口相比,并行接口拥有明显优势。但这种情况似乎即将改变。   尽管能够提供高于串行接口的性能,但并行接口也有劣势。其中最明显的是,无论是从电路板空间还是从引脚数要求的角度而言,并行接口的尺寸都远远大于串行接口。例如,一个简单的4Mb SRAM最多可能需要43个引脚才能与一个控制器相连。在使用一个4Mb SRAM时,我们的要求可能如
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存储器比较

  •   PROM、EEPROM、FLASH的总结性区别   EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH是结合EPROM和EEPRO
  • 关键字: SRAM  DRAM  

存储器革新将引发电子产业蝴蝶效应?

  •   经过几十年的发展,电子产业几乎已成为一个线性系统,并被摩尔定律(Moore‘sLaw)左右。然而随着摩尔定律逐渐出现松动,越来越多新技术开始浮上台面。这些技术不仅仅是既有技术的改进,而是全面的变革。电子产业可望借由这些新技术转型成为非线性系统,推翻多年来电子产业所定立的主张。   存储器技术近年的发展,可能就此改变存储器与处理技术在1940年代便已确立的关系。连续存储器配置的效率尽管不断受到挑战,但系统的惰性使得这种配置几十年来维持不变。   即使在对称多处理系统中,存储器的配置仍多是
  • 关键字: 存储器  SRAM  

中国集成电路海外并购热过头了?

  • 并购有助于填补中国集成电路产业空白、完成初级阶段的布局、带来规模效应,但并购不能带来产业先进,还是要靠自己持续不断的研发投入,做出真正意义上的世界级原创技术,才能让中国集成电路站到超越先进的层面。
  • 关键字: 集成电路  SRAM  

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

  •   ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。   ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算   机的内存。   RAM   有两大类,一种称为静态RAM(StaticRAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但   是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RA
  • 关键字: ROM  RAM  SRAM  

赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高性能同步SRAM,确保卓越的可靠性

  •   静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,推出业界最高容量的其具有片上错误校正码(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能,使之可以提供最高水平的数据可靠性,简化多种军用、通讯和数据处理应用的设计。赛普拉斯今年计划扩充具备ECC功能的同步SRAM产品线,增加其他容量的产品。   由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容,造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能,而无需用户干预,能达到业界最佳的软
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

赛普拉斯的异步SRAM系列又添新丁 具有片上错误校正码的4Mb器件横空出世

  •   静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,其具有错误校正码(ECC)的4Mb异步SRAM正在出样。这些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的数据可靠性,而无需额外的错误校正芯片,从而简化了设计,并缩小了电路板尺寸。该器件可在工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费及汽车等应用中确保数据的可靠性。   由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容,造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型异步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能,而无需用户干预,能达到业界最
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

赛普拉斯的异步SRAM系列又添新丁,具有片上错误校正码的4Mb器件横空出世

  •   静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,其具有错误校正码(ECC)的4Mb异步SRAM正在出样。这些新款SRAM的片上ECC功能可提供最高水平的数据可靠性,而无需额外的错误校正芯片,从而简化了设计,并缩小了电路板尺寸。该器件可在工业、军事、通讯、数据处理、医疗、消费及汽车等应用中确保数据的可靠性。   由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容,造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型异步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能,而无需用户干预,能达到业界最
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

IBM持续提升磁带储存密度

  •   IBM Research 宣布创下磁带(magnetic tape)储存最高密度的世界纪录──在富士(FujiFilm)为其研究案特别开发的低成本微粒(particulate)磁带上达到每平方英寸1,230亿位元(123 billion bits)未压缩资料的储存密度。该技术一旦商业化,可让今日的6 Gbyte磁带盒(cartridge)储存容量扩充到220 Terabyte。   负责磁带技术开发的IBM Research研究经理Mark Lantz表示:“新技术可确保我们在接下来十年
  • 关键字: IBM  SRAM  

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式设计中的作用

  •   上世纪90年代中期,英特尔决定把SRAM整合到自己的处理器中,这给世界各地的独立式SRAM供应商带来“灭顶之灾”。最大的SRAM市场(PC高速缓存)一夜之间销声匿迹,只留下少数细分市场应用。SRAM的“高性能存储器(访问时间短、待机功耗小)”价值主张因其较高的价格和容量限制(目前的最高容量是288Mb)而高度受限。由于SRAM每个单元有四到六个晶体管,几乎无法与DRAM和闪存竞争(这两种存储器每个单元只有1个晶体管);每个单元的晶体管数越少就意味着板容量
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

世界最小延迟的网络交换机采用赛普拉斯QDR-IV SRAM

  •   静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,网络设备制造商Exablaze在其ExaLINK Fusion网络交换机中选用了赛普拉斯的QDR-IV SRAM。该交换机采用了一种将赛灵思Ultrascale FPGA与QDR-IV存储器对接的模块化设计。ExaLINK Fusion采用了赛普拉斯最快的QDR-IV器件,频率为1066 MHz,是市场上最高随机存取速率(RTR)的存储器。   RTR的意思是每秒完全随机存储器访问次数,是影响高速线卡和交换机速率的存储器性能关键
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  

赛普拉斯和飞索(Spansion)完成换股合并

  •   赛普拉斯半导体公司和飞索半导体(Spansion)公司3月12日宣布,两家公司价值50亿美元的全股票免税合并交易已告完成。在今天早些时候举行的一场专门会议上,赛普拉斯的股东批准了发行新股,并以2.457:1的比例 换购飞索全部股票的提案。飞索的股东在另一场会议中批准了该合并案。此项合并产生的协同效应预计将在未来三年内每年减少1.35亿美元的开支,并将体现在合并后的第一个完整年度的税后盈利(non-GAAP earnings)中。合并后的公司仍将向股东支付每股0.11美元的季度股息。   赛普拉斯总裁
  • 关键字: 赛普拉斯  飞索  SRAM  
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sram介绍

  SRAM是英文Static RAM的缩写,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一 [ 查看详细 ]

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