电子技术的变革，让人们的生活不断智能化，智能化手机，电视，家居，汽车甚至机器人和人体辅助设备等。意法半导体追寻的理念就是科技引领智能生活，意法半导体执行副总裁兼数字融合事业部总经理GIAN LUCA BERTINO，论述ST在智能电视和智能化家居方面的企业战略及技术演进。
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ST 机顶盒 多媒体处理器 FD-SOI
随着智能手机功能最近不断升级演化，消费者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主频CPU处理器、令人震撼的3D图形、全高清多媒体和高速宽带现已成为高端手机的标配。同时，消费者还期望手机纤薄轻盈，电池续航能力至少
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助力 平台 NovaThor 下一代 FD-SOI:
在一场近日于美国旧金山举行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技术研讨会上，产业组织SOI Consortium所展示的文件显示， FD-SOI 制程技术蓝图现在直接跳过了20nm节点，直接往14nm、接着是10nm发展。
根据SOI Consortium执行总监Horacio Mendez在该场会议上展示的投影片与评论指出，14nm FD-SOI技术问世的时间点约与英特尔 (Intel)的14nmFinFET相当，而两者的性能表现差不多，F
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ST FD-SOI 10nm
12月13日，意法半导体宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。在实现极其出色的图形、多媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时，而不牺牲电池的使用寿命的情况下，嵌入式处理器需具有市场上最高的性能及最低的功耗，意法半导体28纳米技术的投产可解决这一挑战，满足多媒体和便携应用市场的需求。
FD-SOI技术平台包括全功能且经过硅验证的设计平台和设
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ST 晶圆 FD-SOI
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布其在28纳米 FD-SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步，即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术，这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。
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意法 纳米 FD-SOI
华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，由华润上华在2010年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级，达到更高的性价比，这在国内尚属首家。第二代工艺的推出显示了华润上华已经全面掌握了SOI工艺技术，具备了根据市场需求持续开发具有自主知识产权的SOI工艺技术能力。
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华润微电子 半导体 SOI
华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布，继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，由华润上华在2010年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级，达到更高的性价比，这在国内尚属首家。
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华润上华 SOI CDMOS
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)宣布，引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高，要求既能处理精美的图片，支持多媒体和高速宽带上网功能，同时又不能牺牲电池寿命。在设
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意法 芯片 FD-SOI
CCFL和LED是当前LCD仅有的两种背光源，CCFL是传统的背光方式，而LED作为LCD背光的后起之秀，正在迅速抢占LCD背光市场。电视机厂商和面板厂商之所以积极推动LED背光液晶电视，原因在于全球各国的耗电量规定以及其环保
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TV 背光 方案 成本 LED 降低 200V SOI 工艺 有效 利用
随着智能功率IC的发展.其应用领域和功能都在不断地扩展。而作为智能功率IC中的重要一类栅驱动IC在功率开关、显示驱动等领域得到广泛应用。在栅驱动电路中需要电平位移电路来实现从低压控制输入到高压驱动输出的电平转
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电平 位移 电路设计 技术 集成 SOI 高压 基于
随着半导体产业向22纳米技术节点外观的发展，一些制造商正在考虑从平面CMOS晶体管向三维（3D）FinFET器件结构的过渡。相对于平面晶体管，FinFET元件提供更好的渠道控制，因此，降低短通道效应。当平面晶体管的栅极在沟道之上，FinFET的栅极环绕沟道，从双向提供静电控制。
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SOI 体硅 FinFET
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator，SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺(bulk process)进行芯片制造，该测试芯片显示出最高可达40%的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176™ 处理器，能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时，SOI是一项取代传统体效应工艺的可行技术。
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ARM 45纳米 SOI
据ARM的研究人员的报道，公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比，功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。
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ARM 45nm SOI 测试芯片
在最近召开的GSA会议(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣称其使用32nm SOI制程工艺制作的24Mbit SRAM芯片的良率已经达到两位数水平，预计年底良率有望达到50%左右。GlobalFoundries同时会在这个会议上展示其最新的制造设备。
据称目前Intel 32nm Bulk制程技术的良率应已达到70-80%左右的水平，而且已经进入正式量产阶段，在32nm制程方面他们显然又领先了一大步。不过按AMD原来的计划，32nm SOI制程将在2
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GlobalFoundries 32nm SOI
法国SOI技术公司Soitec公布2009-2010财年第一季度销售额为4390万欧元(约合6190万美元)，环比增长22.3%，同比减少27.2%。
6月，Soitec在收到了主要客户的急单之后，大幅上调了第一财季的预期，预测第一季度销售额环比增长20%。
第一季度，Soitec称晶圆销售收入为4110万欧元(约合5790万美元)，环比增长30.8%。其中300mm晶圆占了84%的份额，环比增长35%。
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SOI 晶圆
soi介绍
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SO [
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