DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FD-SOI
今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。”
Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带
不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
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FD-SOI 物联网
可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展：设计了Ni/Cu体系，利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控，有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。
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石墨烯 SOI
美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
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格罗方德 FD-SOI
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。
例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，该公司正在14至16奈米节点采用
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FinFET FD-SOI
身为记者，我有时候会需要经过一系列的资料收集──通常包含非正式评论、随机事实(random facts)、推特文章、研讨会/座谈会资料或是公关宣传稿，然后才能把许多线索串联在一起;全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一个例子。
我从美国旅行到中国接着又到欧洲，在与电子产业人士讨论技术的过程中，发现FD-SOI从一个不容易了解的名词，逐渐变得越来越“有形”。关于这个技术，我在最近这几个星期所收集到的随机
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晶圆 FD-SOI
Peregrine半导体公司是射频 SOI(绝缘体上硅)技术的奠基者和先进射频解决方案的先驱，宣布在大中华市场推出该公司的新系列UltraCMOS®单片相位和幅度控制器(MPAC)。MPAC产品中集成了一个90度混合分离器、移相器、数字步进衰减器以及一个数字SPI接口，全部做在一块芯片上。与多芯片的砷化镓(GaAs)解决方案比较，这种单片射频控制器的线性度高，隔离性能好，能够控制很大的功率，相位调谐灵活性极强，对于两路动态负载调制放大器结构，例如多尔蒂(Doherty)功率放大器，是理想的射频控制方案
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Peregrine SOI MPAC
全球领先的200mm纯晶圆代工厂-华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」，连同其附属公司，统称「集团」)今日宣布推出全新的0.2微米射频SOI (绝缘体上硅)工艺设计工具包(Process Design Kit，PDK)。这标志着新的0.2微米射频SOI工艺平台已成功通过验证，并正式投入供客户设计开发使用。工艺设计工具包(PDK)的推出可协助客户快速完成高质量射频器件的设计与流片。
华虹半导体的0.2微米SOI工艺平台是专为无线射频前端开关应用优化的工艺解决方案。相比基于砷化镓(GaAs)
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华虹半导体 SOI
横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体公布了2013年可持续发展报告(Sustainability Report)。意法半导体连续17年公布可持续发展报告。报告内容全面地介绍意法半导体在2013年实施的可持续发展战略、政策和业绩，并例证了可持续发展计划如何在企业经营中发挥重要作用，为所有的利益相关者创造价值。
意法半导体公司总裁兼首席执行官Carlo Bozotti表示：“意法半导体在很早之前就认识到了可持续发展的重要性，20年来，可持续发展已成为意法半导体核心战略的
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意法半导体 FD-SOI 可持续发展
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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IBM RF芯片 代工升级 制程技术 SiGe SOI
Peregrine半导体公司是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创始人、先进的射频解决方案之先驱，今天，在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端( RFFE )系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所有元件，UltraCMOS Global 1是单一平台的设计──
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Peregrine 射频 SOI
针对SOI二极管型非制冷红外探测器，设计了一种新型读出电路(ROIC)。该电路采用栅调制积分(GMI)结构，将探测器输出电压信号转化为电流信号进行积分。设计了虚拟电流源结构，消除线上压降(IR drop)对信号造成的影响。电路采用0.35μm 2P4M CMOS工艺进行设计，5V电源电压供电。当探测器输出信号变化范围为0~5mV时，读出电路仿真结果表明：动态输出范围2V，线性度99.68%，信号输出频率5MHz，功耗116mW。
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红外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布开发出一种带MIPI®RFFE接口的SP10T射频天线开关，其插入损耗堪称智能手机市场业界最低，尺寸堪称业界最小。该产品即日起交付样品。
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东芝 射频天线 SOI
soi介绍
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SO [
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