首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> soi

RF-SOI在中国已建立起完整的生态系统

  •   日前在上海举办的“RF-SOI研讨会”上,SOI产业联盟称,RF-SOI生态系统现已建立完善,并成为天线调谐器与射频开关的主流技术,占据了95%的市场份额,该系统有利于IoT连接和5G的发展,为了更深层地与射频前端器件结合,RF-SOI这种突破型技术还需要更多的创新和突破性的方案。        目前,RF-SOI技术主要应用于智能手机、WiFi等无线通讯领域,具有性能高、成本低等优势。上海新傲科技股份有限公司总经理王庆宇称,国际上3G/4G手机用的射频器件
  • 关键字: RF-SOI  5G  

格罗方德推出12nm FD-SOI工艺并拓展FDX路线图

  •   格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,12FDXTM提供全节点缩放和超低功耗,并通过软件控制实现按需定制性能,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。   随着数以百万计的互联设备出现,世界正在逐步融合为一体,众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统,集成包括无线连接、非易失性存
  • 关键字: 格罗方德  FD-SOI  

格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺,拓展FDX路线图

  •   格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM,实现了业内首个多节点FD-SOI路线图,从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上,专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。   随着数以百万计的互联设备出现,世界正在逐步融合为一体,众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统,集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件,
  • 关键字: 格罗方德  FD-SOI  

格罗方德半导体推出生态系统合作伙伴计划以加快未来互联系统创新

  •   格罗方德半导体今日宣布一项全新合作伙伴计划FDXcelerator™,该生态系统旨在为客户加速基于22FDX™的片上系统设计,并缩短产品上市时间。   随着公司新一代12FDX™的发布,格罗方德现提供业内首个FD-SOI 路线图,并随之建立了FDXcelerator™合作伙伴计划,为希望实现先进节点设计的客户提供了一条低成本的迁移路径。   通过格罗方德半导体和FDXcelerator合作伙伴解决方案,客户将能打造各类创新的22FDX 片上系统解决方
  • 关键字: 格罗方德  FD-SOI  

28纳米FD-SOI制程嵌入式存储器即将问世

  •   Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。   三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体,做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项​​。   Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示,该
  • 关键字: FD-SOI  存储器  

FD-SOI制程决胜点在14nm!

  •   产业资深顾问Handel Jones认为,半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程,利用该技术的众多优势…   半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示,在制程微缩同时,每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加,其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面,当制程特征尺寸缩 减时,晶片系统性与参数性良率会降低,带来较高的闸成本。     
  • 关键字: FD-SOI  14nm  

Globalfoundries正进行下一代FD-SOI制程开发

  •   Globalfoundries技术长GaryPatton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。   晶圆代工业者Globalfoundries技术长GaryPatton透露,其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator,FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市,而目前该公司正在开发后续制程。   Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程,能提
  • 关键字: Globalfoundries  FD-SOI  

RF-SOI技术:加强5G网络和智能物联网应用

  •   今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM),一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。  移动市场对RF SOI的追捧持续升温,因为它以高性价比实现了低插入损耗,在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择,能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度,同时有望在物联网中发挥关键作用。  
  • 关键字: RF-SOI  5G  

FD-SOI会是颠覆性技术吗?

  •   全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变,成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说,业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动,象征着为这项技术背书。   “我认为,FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间,但它终将获得新的动能,并发展成为一项关键技术,”International Business Strategies (IBS)创
  • 关键字: FD-SOI  FinFET  

中国真的对FD-SOI制程技术有兴趣?

  •   身为一位记者,我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导,要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题,我会确实感受到人气飙涨。   因 为几乎每家媒体都穷追不舍,我不需要向读者解释为何我要写那些,以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的,要写冷门题材、比较少人讨论的话题,挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法,认为那 些题目不关他们
  • 关键字: FD-SOI  FinFET  

FD-SOI与FinFET互补,是中国芯片业弯道超车机会

  • 本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统,并将FD-SOI与FinFET作比较,分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
  • 关键字: FD-SOI  FinFET  制造  201604  

“中国芯”入资法国半导体公司

  • 中国芯片企业起步较晚,在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”,通过支持重点企业的兼并重组及海外收购,培育具有核心竞争力的大型企业,无疑是明智的手段,也是最有效的手段。
  • 关键字: Soitec  FD-SOI  

Soitec半导体公司和FD-SOI技术:选择理想的企业和技术,助力中国创新蓝图

  •   全球领先的绝缘硅(SOI)晶圆制造商法国Soitec半导体公司今日在北京举办的新闻发布会中介绍了该公司在中国市场的发展历史、全耗尽绝缘硅(FD-SOI)基板的成熟性和生产及准备状态、FD-SOI的最新进展及其生态系统。与会发言人包括Soitec公司市场和业务拓展部高级副总裁Thomas Piliszczuk, 以及Soitec公司数字电子商务部高级副总裁Christophe Maleville。会上主要讨论的问题包括该技术是否适合各代工厂及应用设计师广泛使用,更重要的是,该技术如何解决中国半导体行业及
  • 关键字: Soitec  FD-SOI  

三星发飙:半导体28nm FD-SOI投片 功耗暴降一半

  •   苹果(Apple)宣布以182万美元从美信半导体(Maxim Integrated)买下位于加州圣荷西的一座8吋晶圆厂。专家分析认为,此举并不会影响与苹果合作的晶圆代工厂生意。   据SemiWiki报导指出,SEMI World Fab Watch Database资料显示,苹果买下的晶圆厂于1987年建立,即使全面开工每月也只能生产1万片晶圆,规模相对小且老旧,无法生产苹果所需的应用处理器(AP)。   苹果最新AP采16/14纳米FinFET制程,而10纳米制程也正在开发中。8吋晶圆近日才微
  • 关键字: 三星  FD-SOI  

手机链考量?技术分水岭抉择?大陆半导体产业发展FD-SOI

  •   DIGITIMES Research观察,大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI,有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术,包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线,而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线,估与手
  • 关键字: 半导体  FD-SOI  
共89条 3/6 « 1 2 3 4 5 6 »

soi介绍

SOI(Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜,SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点:可以实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说SO [ 查看详细 ]

相关主题

热门主题

FD-SOI:    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473