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sk海力士 文章 进入sk海力士技术社区

SK 海力士回应报废价2 万亿韩元的芯片:部分产品确实存在缺陷

  •  6 月 9 日消息 据外媒 Neowin 报道,此前曾有消息称 SK 海力士报废了 24 万片内存芯片,价值大约为 2 万亿韩元,SK 海力士对此事作出回应称,其部分产品确实存在缺陷,但不良率处于正常水平,目前仍在分析具体规模和产生的原因。  SK 海力士在声明中表示,“我们可以确认生产的部分 DRAM 产品存在缺陷。我们目前正在与受此影响的客户交谈,以解决这个问题。但是据初步估计,我们认为损失不会太大,因为该缺陷在正常的质量问题检测范围。”  此外,SK 海力士还补充说:“谣言中提到内存芯片
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SK海力士600亿收购Intel业务获欧美批准 中国审批将是关键

  •   去年10月份,Intel宣布将旗下的NAND闪存业务以90亿美元的价格出售给SK海力士。这笔交易在3月份通过了美国审批,日前通过了欧盟的审批,中国的审批会是未来的关键之一。  上周末欧盟委员会正式批准了SK海力士收购Intel闪存业务的交易,没有任何条件限制,也无需任何进一步审查。  在扫清美国及欧盟的审批之后,SK海力士、Intel希望在2021年内获得其他国家的批准,其中中国监管部门的审批将是关键。  Intel及SK海力士在国内闪存市场上都占有相当多的份额,其中Intel在大连还有3D闪存厂,S
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SK海力士宣布M16新厂竣工

  • SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com )在韩国京畿道利川总部以“We Do Technology,开启幸福”为主题举行M16新厂竣工仪式。为遵守防疫规定,公司缩小了本次活动规模,仅作为SK集团的内部活动举办。SK集团会长崔泰源、SK集团首席副会长崔再源、SK SUPEX追求协议会议长曹大植、SK海力士副会长朴正浩、SK株式会社社长兼CEO张东铉、SK海力士CEO李锡熙、SK海力士首席独立董事河永求等16人现场出席了本次竣工典礼,伴随SK海力士及其合伙公司的员工通过视频方式参与。崔泰源
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SK海力士90亿美元接盘英特尔NAND业务,存储芯片格局或生变

  • 半导体并购再起。2020年以来,半导体的重磅收购不断。英伟达拟收购ARM,AMD洽谈收购赛灵思,半导体领域接连出现重大变数,金额屡创新高。今天新的主角又登场了 —— SK海力士与英特尔。SK海力士于20日发布公示官宣将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购范围包括英特尔的固态硬盘 (SSD) 业务、NAND闪存和晶元业务,以及位于大连专门制造3D NAND Flash的Fab68厂房。不过,英特尔将保留傲腾 (Optane) 的存储业务。这是韩国公司有史以来最大规模的海外收购交易,超过三星在20
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND  存储芯片  

SK海力士接盘英特尔闪存 韩厂商占存储芯片半壁江山

  • 半导体并购再起  2020年以来,半导体的重磅收购不断,10月20日,SK海力士和英特尔官宣,SK海力士将以90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务、以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂,不过,英特尔将保留傲腾(Optane)的存储业务。  SK海力士在声明中表示,SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD(固态硬盘)业务(包括NAND
  • 关键字: SK海力士  英特尔  NAND闪存    

消息称Intel欲出售内存芯片业务:SK海力士100亿美元接手

  • 据外媒最新消息称,Intel可能出售内存芯片业务,而接盘者是SK海力士,价格是100亿美元。报道中提到,这家半导体巨头将对自己进行重新定位,远离一个具有历史重要性、但正日益受到挑战的领域。消息人士称,这两家公司正就上述交易展开讨论,最快可能会在周一宣布,前提是双方之间的谈判不会在最后时刻破裂。目前尚不清楚这笔交易的细节信息,如SK海力士具体将收购什么业务等。Intel旗下内存芯片部门生产NAND闪存产品,主要用于硬盘、拇指驱动器和相机等设备。由于闪存价格下跌的缘故,Intel一直都在考虑退出这项业务。虽然
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SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM

  • SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准,此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品,尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。         图1. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM          图2. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM          SK海力士于2018年1
  • 关键字: SK海力士  DDR5  DRAM  

三星、SK海力士、美光停止向华为供货:内存供大于求将持续到明年

  • 对于华为来说,随着三星、SK海力士、美光三大内存厂商的停止供货,这也给内存市场带来了不小的伤害。昨天,美光公布的财报显示,该公司已在9月14日停止向华为出货。受此消息影响,美光股价在盘后交易中下挫3.6%。美光CEO 桑杰 · 梅洛特 (Sanjay Mehrotra)称,华为是美光的最大客户,公司需要时间来弥补损失的订单。跟美光一样的是,由于无法在向华为供货,服务器内存的现货上涨价格趋势将停止,三星、SK海力士正在遭遇艰难时刻。据悉,华为一直是三星和SK海力士的主要客户,分别占两家公司销售额的3%和12
  • 关键字: 三星  SK海力士  美光  华为  内存  

华为禁令再升级,存储芯片恐受波及,三星、SK海力士神经紧绷

  • 据韩媒报道,近日,美国再次宣布升级华为禁令,切断华为向第三方采购芯片的可能,该禁令极有可能使与华为有业务往来的韩国企业也遭受波及。韩半导体业内人士表示,在新的禁令中,包括存储设备、逻辑器件等所有的半导体都有可能受到管制,目前正在对当地公司检查,以确定其是否将存储半导体纳入到管制范围之内。一直以来,华为都是三星和SK海力士等韩国半导体厂商重要的客户之一。据SK海力士的半年度报告,该公司今年上半年销售额的41.2%来自中国,其中很大一部分来自华为。今年三星二季度报告显示,华为为三星电子整体销售额贡献最大的前五
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SK海力士开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日,SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs, 输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.7GB),是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。H
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SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。           图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs,  输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.
  • 关键字: SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  

SK海力士与韩科院合作,利用AI技术改善芯片制造过程

  • 韩国时报消息,SK海力士12日表示,已与世界顶级的理工大学韩国科学技术院(KAIST)建立合作关系,将利用人工智能技术改善芯片制造过程。
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SK海力士与韩科院合作,利用AI技术改善芯片制造过程

  • 韩国时报消息,SK海力士12日表示,已与世界顶级的理工大学韩国科学技术院(KAIST)建立合作关系,将利用人工智能技术改善芯片制造过程。根据谅解备忘录,SK海力士将通过云计算将半导体制造过程中产生的数据实时提供给韩科院,韩科院将利用AI技术分析数据,帮助推动芯片制造过程的发展。SK海力士表示,今年3月在其总部推出了云计算系统,为使韩科院能够存储提供的数据,公司还在该院校的大田校区和Seongnam-KAIST下一代ICT研究中心设立了安全数据存储处。SK海力士一直在加强与韩国高等院校的合作关系,进一步提高
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SK海力士第一季度实现净利润37亿元 同比减少41%

  • 据国外媒体报道,韩国半导体巨头SK海力士公布了2020财第一季度财报,财报显示,SK海力士第一季度净利润同比减少41%。海力士财务数据SK海力士第一季度实现营收7.2万亿韩元(约合人民币413亿元),同比增长6%。SK海力士第一季度实现营业利润为8003亿韩元(约合人民币46亿元),同比减少41%;实现净利润6491亿韩元(约合人民币37亿元),同比减少41%。SK海力士表示,由于DRAM受季节性淡季以及疫情的影响,移动客户的需求趋缓, 但随着服务器需求的强势抵销,DRAM比特出货量(bit shipme
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128层闪存:中国刚刚突破、SK海力士加速量产

  • 长江存储近日宣布,已经攻克128层堆叠3D QLC闪存技术,单颗容量做到1.33Tb,创造单位面积存储密度、I/O传输速度、单颗芯片容量三个世界第一,首次跻身全球第一队列水平。当前,整个闪存行业都在全面转向100+层堆叠,其中东芝、西部数据是112层,美光、SK海力士是128层,三星是136层,Intel则做到了144层。中国的突破显然让国际巨头们有些不安,纷纷开始提速。三星日前就宣布,正在研发160层及以上的3D闪存,将成为第七代V-NAND闪存的基础。在今天的第一季度财务会议期间,同样来自韩国的SK海
  • 关键字: 闪存  SK海力士  长江存储  
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sk海力士介绍

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