- 昨日南韩半导体厂SK 海力士才发布史上最大扩产计画，隔天三星即宣布新厂下个月就将成军启用，这也宣告记忆体市场正式进入新一轮的军备竞赛。
三星新厂位于首尔南部的水原市，可用于量产DRAM等记忆体或逻辑晶片。消息指出，水原厂部分产线过去几个月已进行过试产，年底将全面启用。
另外，三星目前在平泽市还有一半导体厂正在兴建，三星计画未来两年在这座工厂砸下15兆韩圜(125亿美元)，是韩国史上对单一半导体厂的最大投资案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未来十年内将投
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三星 海力士
- 全球第二大DRAM厂南韩SK海力士昨(25)日宣布，规划斥资31兆韩元(约259.4亿美元、约新台币8,300亿元)，在南韩兴建两座新厂，预计2024年前竣工。近期DRAM价格好不容易出现止跌讯号，市场忧心，SK海力士大举扩产，长期将再度使得产业陷入供过于求。
外电指出，投资人正密切留意记忆体厂新的资本投资，因为大规模的支出可能导致供给过剩，或引爆价格战，这对三星、SK海力士、华亚科(3474)、南亚科等业者都将不利。
受市场忧心SK海力士大举扩产影响，南亚科昨天股价在台股大涨逾265点下
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海力士 DRAM
- 南韩记忆体大厂SK 海力士与美国同业SanDisk不打不相识，海力士周三宣布，与美国同业SanDisk的官司已在庭外达成和解，与此同时，双方还将扩大专利合作，正式成为伙伴关系。
SanDisk去年按铃控告旗下某职员于2008年跳槽后，将机密泄漏给海力士，但在双方达成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士与SanDisk不仅一笑泯恩仇，还进一步就专利授权取得新协议。声明稿指出，海力士将支付SanDisk 权利金，并供应DRAM予SanDisk，时间将持续至2023年。 海力士与东芝的官司去
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- 南韩记忆体大厂SK 海力士周二宣布加入三星、东芝与美光等强敌之列，其3D NAND 快闪记忆体第三季将正式进入量产阶段，预计9月开始对客户出货。
快闪记忆体量产在2D平面微缩制程已遭遇瓶颈，因此走向3D立体堆叠已是大势所趋。据日经新闻报导，海力士将优先推出固态硬碟(SSD)用36层记忆体晶片试市场水温后，48层产品明年才会投产。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季财报逊于预期，受PC用DRAM需求低迷影响，当季营业利润仅1.37兆韩圜，低于分析师预估的1.44兆韩圜。 由于PC本季市况依旧
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- 过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1：HBM模组横截面示意图
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海力士 存储器
- 过去几个月来，TechInsights的拆解团队一直在寻找海力士(Hynix)的高频宽记忆体(HBM)，最近终于取得了这款据称可克服DDR4/DDR5型SDRAM频宽限制的记忆体。
海力士的高频宽记忆体(HBM)很新，而且能够克服DDR4型SDRAM的频宽限制，甚至达到某种程度的DDR5型记忆体频宽。该技术堆叠了四个DRAM晶片以及一个逻辑晶片，一片一片地堆叠起来，并利用矽穿孔(TSV)与微凸块接合实现晶片至晶片间连接。
图1显示四个DRAM晶片与一个逻辑晶片堆叠并固定至中介层晶片。该中介
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海力士 存储器
- 记忆体大厂整军经武，准备展开新一波大战!据传三星电子和SK 海力士 (SK Hynix )将大买设备，积极投资3D NAND Flash;另外DRAM也将转进新制程，拉高战力。
韩媒etnews 6日报导，记忆体大厂争相量产3D NAND Flash，新制程和传统NAND Flash相比，差别在于从平面改为立体，能层层堆叠，提高效能。据了解，由2D转进3D NAND Flash，显影制程不变，但是金属化和刻蚀步骤将分别增加50~60%、30~40%，需要采购不少新设备。据了解，三星最早量产3D
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- 三星移动终端受挫，但是呢人家在DRAM领域闷声发大财。
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三星 SK 海力士
- 全球第2大NAND型快闪存储器 (Flash Memory)厂商东芝 ( Toshiba )5日发布新闻稿宣布，为加快次世代半导体露光技术「纳米压印技术(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研发脚步，已和南韩半导体大厂SK 海力士 (SK Hynix )正式签署契约，双方技术人员将自2015年4月起透过东芝横滨事业所携手研发NIL制程的关键技术，目标为在2017年实用化。
东芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵权案一事达成和解，海力士(
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东芝 海力士
- 记忆体市况今年将不同调;动态随机存取记忆体(DRAM)市场可望维持稳定获利，储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场则有隐忧。
DRAM市场步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三强鼎立的寡占局面，各DRAM厂去年不仅全面获利，并且是丰收的一年。
台塑集团旗下DRAM厂南亚科去年可望首度赚进超过1个股本;美光与南亚科合资的华亚科去年获利也可望突破新台币400亿元，将创历史新高纪录。
NAND Flash市场竞争、变化相对激烈，且难以预料;去年下半
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DRAM 三星 海力士 NAND Flash
- 今年以来8寸产能满载话题延烧，市场看好联电、世界明年8寸产能可望持续吃紧。研调机构IC Insights出具报告指出，韩国、台湾在全球8寸厂中仍将扮演领导地位。其中韩国掌控全球8寸产能达35%，台湾则占21%。
IC Insights指出，韩国的8寸产能主要来自三星与海力士两大厂商，其中光是三星就占了全球8寸产能的24%。若是排除存储器的部分、仅考量晶圆代工的 8寸产能，韩国则占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的产能，其中海力士最大的8寸厂就在中国大陆，三星
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晶圆 三星 海力士
- 研调机构IC Insights表示，台湾及韩国半导体厂持续积极扩产，合计已掌握全球56%的12吋晶圆产能。
IC Insights指出，三星(Samsung)与海力士 ( Hynix )合计掌握全球35%的12吋晶圆产能;其中，三星一家便掌握全球高达24%的12吋晶圆产能。台湾厂商则掌握全球约21%的12吋晶圆产能;其中，有85%的产能主要投入晶圆代工，有15%产能生产记忆体产品。至于北美厂商则掌握全球28%的12吋晶圆产能，日本厂商则掌握全球14%的12吋晶圆产能。
另外，就全球晶圆产能
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- 韩国时报(Korea Times)15 日报导，三星电子明年将投资半导体设备 13.5 兆韩圜，或相当于 120 亿美元，稍高于今年的 13 兆韩圜。
全球记忆体晶片市场目前由三星、SK 海力士与美光所把持，三大厂市占率合计来到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加设备资本支出的主要考量是明年策略将放在维持价格稳定与市场供需平衡。
据报导，三星看准储存型快闪记忆体(NAND Flash)的市场需求有望增加，因此考虑明年在大陆西安开设新厂房。除此之外，有鉴于 DRAM 的需求平稳，
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三星 SK 海力士 美光 NAND
- 在智能手机严重同质化的今天，每一项新技术的出现都让人们有所期待，从64位到八核，国内外芯片设计厂商都在想方设法快速跟进，生怕错过了又一个新市场。
在64位和八核均晚于友商的高通，在全新旗舰64位八核骁龙810处理器上，它首次支持了双通道LPDDR4，内存带宽提升了一倍达到25.6Gps，功耗有所下降。在主流旗舰机均为2K屏幕的今天，对于内存带宽的提高是相当必要的，更何况骁龙810支持4K屏幕，坚信4K UHD将成为2015年旗舰高端手机的选择。
LPDDR4是JEDEC固态技术协会在今年8
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太湖明珠网消息：11月28日，海太半导体(无锡)有限公司与世界著名Dram制造商韩国SK海力士株式会社签订二期合作备忘录。市委常委、常务副市长黄钦参加签约仪式，并会见了韩国SK海力士株式会社专务宋炫宗。
2009年，作为江苏省重点工程项目，太极实业股份有限公司与SK海力士合资设立海太半导体公司，注资资本1.75亿美元，总投资4亿美元。目前，海太半导体与SK海力士的合作关系已经持续了五年，从2009年成立至今，两方风雨同舟，携手并进，双方的合
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