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基于C-MOS转换器的石英晶体振荡电路

  • 电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势,而且74HC系列产品也得到了进一步的充实。用2级TTL构成的时钟振荡电路已可用C-MOS IC构成的振荡电路替代,因为TTL IC如果置偏电阻等元件参数选择不当,容易停振或
  • 关键字: C-MOS  转换器  石英晶体  振荡电路    

无比型动态MOS反相器

采用C-MOS与非门的发光二极管脉冲驱动电路及工作原理分析

  • 电路的功能如使用发光二极管直流发光,正向偏流只能在数10MA以下,允以获得大的发光输出,若采用缩小导通时的占空比,则可获得大的峰值电流。本电路发光频率为1KHZ,脉冲载频为38KHZ,受发光电路很容易分辩外来光。电
  • 关键字: 电路  工作  原理  分析  驱动  脉冲  C-MOS  与非门  发光二极管  

采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路

  • 采用C-MOS转换器的石英晶体振荡电路电路的功能近来出现了把TTL器件换成C-MOS器件的趋势,而且74HC系列产品 ...
  • 关键字: C-MOS  转换器  石英晶体  振荡电路  

可设定10~100秒的长时间C-MOS定时电路及工作原理

  • 电路的功能若要用555芯片组成长时间定时电路,R用高阻值,便可加长CR时间常数,但是,由于内部比较器的输入偏流较大,难以充电到门限电压,比较器无法驱动,为此,本电路采用了偏流非常小的C-MOS定时器芯片,选用高阻
  • 关键字: 工作  原理  电路  定时  时间  C-MOS  设定  

SJ-LDMOST中的衬底辅助耗尽效应

  • 本文分析了SJ-LDMOST中衬底辅助耗尽效应的产生机理。文中将业界消除衬底辅助耗尽效应的主要方法分成两类,并提出消除衬底辅助耗尽效应的途径
  • 关键字: SJ-LDMOST  功率集成电路  201112  

V-MOS管测试

罗姆与APEI联合开发出SiC沟槽MOS模块

  • 日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备,与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计,由于最大限度地利用了SiC器件的特点,从而大幅改善了电气特性、机械特性,同时实现了超小型化、轻量化、高效化,在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
  • 关键字: 罗姆  SiC  MOS  

MOS场效应管逆变器自制

  • 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管。该变压器的工作原理及制作过程:     图1  工作原理  一、方波的产生  这里采用CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻,用于改善由于电源电压的变化而
  • 关键字: 自制  逆变器  效应  MOS  

高性能、可高压直接驱动MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

  • NCP1396A/B为NCP1395的改进型。它包括一个最高500kHZ的压控振荡器,在必需悬浮驱动功能时龅控制模式有很大...
  • 关键字: 光耦  可调  死区时间  MOS  

MOS管短沟道效应及其行为建模

  • 1 引 言  目前,实现微电路最常用的技术是使用MOS晶体管。随着科学技术的发展,集成电路的集成密度不断地在提高,MOS晶体管器件的尺寸也逐年缩小, 当MOS管的沟道长度小到一定值之后,出现的短沟道效应将对器件的特性
  • 关键字: 行为  建模  及其  效应  管短沟  MOS  

电源变压器的MOS场效应管逆变器制作

  • 这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
  • 关键字: 逆变器  制作  效应  MOS  变压器  电源  

舞台功放MOS管改装方法

  • 以ODL牌QSA-2400专业功放为例(电路见中图)。改装后对应电路见下图。由于MOS管与三极管驱动电压差异。为了保证电压推动管静态工作点基本保持不变,要重新选择R26和R27的阻值。Q22三极管原发射极电阻上的电压为3V.现改
  • 关键字: 方法  改装  MOS  功放  舞台  

基于MOS开关的高频高压脉冲源中电磁兼容问题研究

  • 摘要:本文研究了基于MOS固态开关的高频高压脉冲源中的电磁兼容问题,通过分析其干扰信号频谱分布及传播路径,制定了以屏蔽和滤波为主的电磁兼容方案,最终实现了重复频率80kHz,4kV脉冲源,实验验证了电磁兼容措施的
  • 关键字: 电磁兼容  问题  研究  脉冲  高压  MOS  开关  高频  基于  

MOS-FET与电子管OTL功放的制作

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