日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计，由于最大限度地利用了SiC器件的特点，从而大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化、高效化，在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
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罗姆 SiC MOS
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动，开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂，世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作，并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装，在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
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罗姆 SiC
在CCMPFC中，通过改善MOSFET技术可以减少开关损耗，甚至可通过SiC技术改善升压二极管来减少MOSFET的开关损...
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开关 PFC MOSFET
开关电源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流...
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开关电源 IGBT MOSFET
当前，设计人员正面临为各种应用产品的电源设计反激电路的挑战，现在找到能够简化工作的方法。全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)发布一款易于使用、功能强大的在线仿真工具Power Supply WebDesigner (PSW)，这款工具可让设计人员无需应用指南，也可以像电源专家一样进行“自动化设计”、优化或“先进设计”。
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飞兆 MOSFET PSW
超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之...
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LED GaN MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应用，这些采用密封TO-205AD(TO-39)封装的器件兼具低导通电阻和快速开关的性能。
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Vishay MOSFET
通常，在功率MOSFET的数据表中的第一页，列出了连续漏极电流ID，脉冲漏极电流IDM，雪崩电流IAV的额定值，然后对于许多电子工程师来说，他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中，它们如何影响系统以及如何选
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电流 MOSFET 功率 理解
据罗姆中国营业本部村井美裕介绍，面对未来的50年，罗姆提出了“相乘战略”、“功率器件战略”、“LED战略”和“传感器战略”四大企业战略。
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罗姆 SiC LED
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相栅极驱动器IC，适用于电动汽车和混合动力汽车中的车用高压电机驱动应用。
AUIRS2332J 高压高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器具备三个独立的高低侧参考输出通道。IR专有的 HVIC 技术使单片式结构坚固耐用，而且其逻辑输入与 CMOS 或 LSTTL 输出相兼容，低至3.3V 逻辑。新器件还提供能通过外部电流感应电阻来进行桥电流模拟反馈的集成接地参考运算放大器
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国际整流器公司 MOSFET 栅极驱动IC
用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS产品，一款 ...
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集成高压 MOSFET PFC 控制器芯片
现在人们关注“平板电视”和“太阳能电池”，这两个领域都注重环保理念，需要进行低损耗、高效率的产品开发。 ...
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MOSFET 高速开关
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。
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Vishay MOSFET Si8802DB
在本电源设计小贴士以及下次的小贴士中，我们将研究一种估算热插拔MOSFET温升的简单方法。热插拔电路用于将...
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MOSFET 瞬态温升
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